WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1992002041) PROCEDE D'APPLICATION D'UN MARQUAGE INDIQUANT L'ORIENTATION DU RESEAU CRISTALLIN D'UNE TRANCHE CRISTALLINE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1992/002041    N° de la demande internationale :    PCT/DE1991/000483
Date de publication : 06.02.1992 Date de dépôt international : 04.06.1991
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.01.1992    
CIB :
G03F 7/20 (2006.01), G03F 9/00 (2006.01), H01L 21/68 (2006.01), H01L 23/544 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (Tous Sauf US).
STECKENBORN, Arno [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : STECKENBORN, Arno; (DE)
Représentant
commun :
SIEMENS AG; Postfach 22 16 34, D-8000 München 22 (DE)
Données relatives à la priorité :
P 40 22 904.1 16.07.1990 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUM ANBRINGEN EINER DIE ORIENTIERUNG DES KRISTALLGITTERS EINER KRISTALLSCHEIBE ANGEBENDEN MARKIERUNG
(EN) PROCESS FOR PRODUCING A MARKER INDICATING THE ORIENTATION OF THE CRYSTAL LATTICE OF A WAFER
(FR) PROCEDE D'APPLICATION D'UN MARQUAGE INDIQUANT L'ORIENTATION DU RESEAU CRISTALLIN D'UNE TRANCHE CRISTALLINE
Abrégé : front page image
(DE)Bei der Herstellung dreidimensionaler Strukturen aus einkristallinem Halbleitermaterial muß die Orientierung des Kristallgitters bekannt sein. Dazu dienen Markierungen an Kristallscheiben, die bisher von einem Flat gebildet sind. Um eine Markierung zu schaffen, die sehr genau die Orientierung des Kristallgitters einer Kristallscheibe angibt, wird die Kristallscheibe (3) in senkrechter Einfallrichtung mit Röntgenstrahlung (30) oder an einer aufgerauhten, kleinen Stelle (10) in senkrechter Einfallrichtung mit Strahlung (6) eines Orientierungslasers (5) beaufschlagt. Die reflektierte Strahlung (7) wird von einer Videokamera (9) erfaßt, und es werden der reflektierten Strahlung (7) entsprechende elektrische Signale der Videokamera (9) in einem Rechner (12) unter Feststellung der Orientierung des Kristallgitters ausgewertet. Entsprechend der festgestellten Orientierung des Kristallgitters wird eine Ausrichtung von Kristallscheiben (3) und einer Markierungseinrichtung (15...20) vorgenommen und in der ausgerichteten Lage die Markierung auf die Kristallscheibe (3) aufgebracht. Die Erfindung ist bei der Herstellung mikromechanischer Bauteile anwendbar.
(EN)In the production of three-dimensional structures made of single-crystal semi-conductor material, the orientation of the crystal lattice must be accurately known. Markers on the wafers are used for this purpose, previously in the form of a flat. In order to produce a marker giving very precise indication of the orientation of the crystal lattice of a wafer, the wafer (3) is irradiated with vertically incident X-ray radiation (30) or irradiated over a small, roughened area (10) with vertically incident radiation (6) from a laser (5). The reflected radiation (7) is detected by a video camera (9), and electrical video-camera signals corresponding to the reflected radiation (7) are processed by a computer (12) to determine the orientation of the crystal lattice. The wafer (3) is aligned with a marking device (15...20) according to the crystal-lattice orientation determined and the mark is made on the wafer (3) in the aligned position. The invention is applicable to the production of micro-mechanical components.
(FR)Pour la fabrication de structures tridimensionnelles en matériau semi-conducteur monocristallin, il est nécessaire de connaître l'orientation du réseau cristallin. On utilise à cet effet des marquages sur des tranches cristallines, qui sont constitués jusqu'à présent par un à-plat. Pour créer un marquage qui indique avec une très grande précision l'orientation du réseau cristallin d'une tranche cristalline, la tranche cristalline (3) est exposée à un rayonnement X (30) dans le sens vertical ou, au niveau d'un emplacement rugueux (10) de faibles dimensions, au rayonnement (6) dans le sens vertical d'un laser d'orientation (5). Le rayonnement réfléchi (7) est détecté par une caméra vidéo (9) et des signaux électriques de la caméra vidéo (9) correspondant au rayonnement réfléchi (7) sont analysés dans un ordinateur (12) avec détermination de l'orientation du réseau cristallin. En fonction de l'orientation du réseau cristallin ainsi déterminée, on procède à un alignement des tranches cristallines (3) et d'une installation de marquage (15...20) et le marquage est appliqué sur la tranche cristalline (3) en position alignée. L'invention s'applique à la fabrication de composants pour la micromécanique.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)