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1. (WO1992001931) DISPOSITIF ANALYTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1992/001931    N° de la demande internationale :    PCT/GB1991/001203
Date de publication : 06.02.1992 Date de dépôt international : 18.07.1991
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.01.1992    
CIB :
G01N 29/02 (2006.01)
Déposants : FISONS PLC [GB/GB]; Fison House, Princes Street, Ipswich, Suffolk IP1 1QH (GB) (Tous Sauf US).
G.E.C. MARCONI LIMITED [GB/GB]; The Grove, Warren Lane, Stanmore, Middlesex HA4 7LY (GB) (Tous Sauf US).
GIZELI, Electra [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
STEVENSON, Adrian, Carl [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : GIZELI, Electra; (GB).
STEVENSON, Adrian, Carl; (GB)
Mandataire : JONES, Stephen, Anthony; E.N. Lewis & Taylor, 144 New Walk, Leicester LE1 7JA (GB)
Données relatives à la priorité :
9016177.9 24.07.1990 GB
Titre (EN) ANALYTICAL DEVICE
(FR) DISPOSITIF ANALYTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A chemical sensor comprises a piezoelectric support (1) capable of supporting a shear horizontal wave provided on its surface with an electrode (2, 3). The sensor is characterized in that the surface of the piezoelectric support (1) including the region bearing the electrode (2, 3) is covered by a layer of dielectric material (9) of thickness 0.5 to 20 microns. The piezoelectric support (1) is preferably a single crystal. The dielectric layer (1) may be of, for example, silicon dioxide or a suitable polymer, and preferably has a thickness of between 0.5 and 5$g(m)m.
(FR)Un détecteur chimique comporte un support piézoélectrique (1) capable de supporter une onde de cisaillement horizontale formée sur sa surface par une électrode (2, 3). Le détecteur est caractérisé par le fait que la surface du support piézoélectrique (1) comprenant la région porteuse de l'électrode (2, 3) est recouverte d'une couche de matériau diélectrique (9) d'une épaisseur comprise entre 0,5 et 20 microns. Le support piézoélectrique (1) est de préférence un monocristal. La couche diélectrique (1) peut être constituée, par exemple, de dioxyde de silicium ou d'un polymère approprié et, de préférence, possède une épaisseur comprise entre 0,5 et 5$g(m)m.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)