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1. (WO1991017569) SYSTEMES, DISPOSITIFS, ET CIRCUITS SUPRACONDUCTEURS/SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1991/017569    N° de la demande internationale :    PCT/US1991/001907
Date de publication : 14.11.1991 Date de dépôt international : 21.03.1991
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.10.1991    
CIB :
H01L 27/092 (2006.01)
Déposants : MICROELECTRONICS AND COMPUTER TECHNOLOGY CORPORATION [US/US]; 3500 West Balcones Center Drive, Austin, TX 78759 (US)
Inventeurs : KROGER, Harry; (US).
GHOSHAL, Uttam, Shamalindu; (US)
Mandataire : SIGMOND, David, M.; Microelectronics and Computer Technology Corporation, 3500 West Balcones Center Drive, Austin, TX 78759 (US)
Données relatives à la priorité :
518,004 02.05.1990 US
Titre (EN) SUPERCONDUCTING-SEMICONDUCTING CIRCUITS, DEVICES AND SYSTEMS
(FR) SYSTEMES, DISPOSITIFS, ET CIRCUITS SUPRACONDUCTEURS/SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)The field of the invention is superconducting field effect transistors (SFETs) for interconnecting conventional semiconductor circuits. The problem is that current SFETs have zero power gain and do not produce an output voltage signal large enough to enable an SFET string of logic gates to be operated without additional logic level voltage restoration. The solution is a hybrid superconducting-semiconducting field effect transistor-like circuit element comprised of a superconducting field effect transistor (16) and a closely associated cryogenic semiconductor inverter (10) for providing signal gain. The hybrid circuit can be used as a nearly ideal pass gate in cryogenic applications.
(FR)On décrit des transistors à effet de champ supraconducteurs (SFET) servant à interconnecter les circuits semi-conducteurs traditionnels. Malheureusement, les SFET actuels ont une amplification de puissance nulle et ne produisent pas de signal de tension de sortie suffisamment grand pour permettre l'actionnement d'une série de portes logiques de SFET sans rétablissement supplémentaire de la tension du niveau logique. Cependant, on a mis au point un élément de circuit supraconducteur/semi-conducteur hybride semblable à un transistor à effet de champ et constitué d'un transistor supraconducteur à effet de champ (16) et d'un inverseur semi-conducteur cryogénique (10) destiné à assurer l'amplification du signal. Le circuit hybride peut servir de porte de passage presque parfaite à usage cryogénique.
États désignés : CA, JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)