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1. (WO1991017290) APPAREIL DE FABRICATION DE MONOCRISTAUX DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1991/017290    N° de la demande internationale :    PCT/JP1991/000548
Date de publication : 14.11.1991 Date de dépôt international : 24.04.1991
CIB :
C30B 15/12 (2006.01)
Déposants : NKK CORPORATION [JP/JP]; 1-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100 (JP) (Tous Sauf US).
KANETO, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAMIO, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KANETO, Takeshi; (JP).
KAMIO, Hiroshi; (JP)
Mandataire : KIMURA, Saburo; The 6th Central Bldg. 6F, 19-10, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105 (JP)
Données relatives à la priorité :
2/114521 27.04.1990 JP
Titre (EN) SILICON SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE FABRICATION DE MONOCRISTAUX DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)A silicon single crystal manufacturing apparatus whereby a silicon single crystal having a large diameter and stable composition is pulled at a high rate in accordance with the Czochralski method which rotates a crucible. The apparatus features that a partition member is of a crucible type, that the partition member above the surface of molten silicon has a thickness which is not less than 3 mm and not greater than 80 % of the thickness of the partition member below the molten silicon surface, that the bottom portion of the partition member is closely fixed to the bottom portion of the crucible and that the partition member is supported on a cylindrical quartz member.
(FR)L'invention se rapporte à un appareil de fabrication de monocristaux de silicium, qui produit par tirage à une vitesse élevée un monocristal de silicium ayant un grand diamètre et une composition stable, selon la technique de Czochralski, laquelle utilise un creuset mis en rotation. L'appareil se caractérise en ce qu'il comprend un élément de cloison de type creuset qui, au dessus de la surface du silicium en fusion, présente une épaisseur égale ou supérieure à 3 mm et ne dépassant pas 80 % de l'épaisseur de l'élément de cloison au dessous de la surface du silicium en fusion, en ce que la partie de fond de l'élément de cloison est étroitement fixée à la partie de fond du creuset et en ce que l'élément de cloison est maintenu en support sur un élément de quartz cylindrique.
États désignés : KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)