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1. (WO1991017289) APPAREIL DE FABRICATION DE MONOCRISTAUX DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1991/017289    N° de la demande internationale :    PCT/JP1991/000547
Date de publication : 14.11.1991 Date de dépôt international : 24.04.1991
CIB :
C30B 15/12 (2006.01)
Déposants : NKK CORPORATION [JP/JP]; 1-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100 (JP) (Tous Sauf US).
KANETO, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIMA, Yoshinobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KANETO, Takeshi; (JP).
SHIMA, Yoshinobu; (JP)
Mandataire : KIMURA, Saburo; The 6th Central Bldg. 6F, 19-10, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105 (JP)
Données relatives à la priorité :
2/114519 27.04.1990 JP
Titre (EN) SILICON SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE FABRICATION DE MONOCRISTAUX DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)A silicon single crystal manufacturing apparatus for pulling at a high rate a silicon single crystal having a large diameter and stable composition according to the CZ method of the type in which a crucible is rotated. A crucible-type partition member is closely fitted to a bottom portion of the crucible, and the radius of curvature of a portion connecting a side and bottom of the crucible-type partition member is between 10mm and 50mm. Thus, a convection of molten silicon in a crystal growing section of the crucible is maintained in a condition suited for pulling at a high rate a silicon single crystal which is large in diameter and stable in composition.
(FR)L'invention se rapporte à un appareil de fabrication de monocristaux de silicium, qui sert à produire par tirage à une vitesse élevée un monocristal de silicium ayant un grand diamètre et une composition stable en employant la technique CZ du type utilisant un creuset mis en rotation. Un élément de cloison de type creuset est adapté étroitement sur une partie de fond du creuset, et le rayon de courbure d'une partie reliant un côté et le fond de l'élément de cloison de type creuset est compris entre 10mm et 50mm. Ainsi, une convection du silicium en fusion dans une section de croissance cristalline du creuset est maintenue dans un état approprié pour permettre la production par tirage à une vitesse élevée d'un monocristal de silicium qui est de grand diamètre et de composition stable.
États désignés : DE, KR, US.
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)