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1. (WO1991017288) APPAREIL DE FABRICATION DE MONOCRISTAUX DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1991/017288    N° de la demande internationale :    PCT/JP1991/000546
Date de publication : 14.11.1991 Date de dépôt international : 24.04.1991
CIB :
C30B 15/12 (2006.01), C30B 15/14 (2006.01)
Déposants : NKK CORPORATION [JP/JP]; 1-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100 (JP) (Tous Sauf US).
SHIMA, Yoshinobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAMIO, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUZUKI, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SHIMA, Yoshinobu; (JP).
KAMIO, Hiroshi; (JP).
SUZUKI, Makoto; (JP)
Mandataire : KIMURA, Saburo; The 6th Central Bldg. 6F., 19-10, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105 (JP)
Données relatives à la priorité :
2/114522 27.04.1990 JP
Titre (EN) SILICON SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE FABRICATION DE MONOCRISTAUX DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)A silicon single crystal manufacturing apparatus for pulling at a high rate a silicon single crystal having a large diameter and a stable composition according to the CZ Method of the type in which a crucible is rotated. By properly maintaining the heat balances of the outer periphery of a silicon single crystal, and the free surface of molten silicon on the inner side of a partition member, it is made possible to pull a large-diameter silicon single crystal at a high rate. The conditions which must be satisfied are: Ø¿4? = 18 $m(k) 24 inches, Ø¿3?/Ø¿4? = 0.75 $m(k) 0.84, Ø¿2? - Ø¿1? = 30 $m(k) 50mm, $g(a) = 15 $m(k) 25°, and h = 10 $m(k) 30mm. Ø¿1? is the silicon single crystal diameter, Ø¿2? the diameter of the opening at the lower end of the cylindrical side portion of a heat keeping cover, Ø¿3? the diameter of the partition member, Ø¿4? the crucible diameter, and h the distance from the molten silicon surface to the portion of Ø¿2?.
(FR)L'invention se rapporte à un appareil de fabrication de monocristaux de silicium, qui sert à produire par tirage à une vitesse élevée un monocristal de silicium ayant un grand diamètre et une composition stable, en fonction de la technique CZ du type utilisant un creusé mis en rotation. En maintenant correctement les équilibres thermiques de la périphérie externe d'un monocristal de silicium, et de la surface libre du silicium en fusion sur la face interne d'un élément de cloison, on peut produire par tirage un monocristal de silicium de grand diamètre à une vitesse élevée. Les conditions devant être satisfaites sont les suivantes: Ø¿4? = 18 $m(k) 24 pouces; Ø¿3?/Ø¿4? = 0.75 $m(k) 0,84; Ø¿2? - Ø¿1? = 30 $m(k) 50mm; $g(a) = 15 $m(k) 25°; et h = 10 $m(k) 30mm. Ø¿1? représente le diamètre du monocristal de silicium; Ø¿2? représente le diamètre de l'ouverture au niveau de l'extrémité inférieure de la partie latérale cylindrique d'un couvercle de conservation thermique; Ø¿3? représente le diamètre de l'élément de cloison; Ø¿4? représente le diamètre du creusé; et h représente la distance entre la surface du silicium en fusion et la partie de Ø¿2?.
États désignés : KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)