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1. (WO1991009161) PROCEDE DE FORMATION DE PELLICULES EPITAXIALES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1991/009161    N° de la demande internationale :    PCT/JP1990/001633
Date de publication : 27.06.1991 Date de dépôt international : 14.12.1990
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/35 (2006.01), C23C 14/56 (2006.01), C30B 23/02 (2006.01), C30B 23/08 (2006.01)
Déposants : CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 30-2, Shimomaruko 3-chome, Ohta-ku, Tokyo 146 (JP) (Tous Sauf US).
ICHIKAWA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIZUTANI, Hidemasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ICHIKAWA, Takeshi; (JP).
MIZUTANI, Hidemasa; (JP)
Mandataire : OGIUE, Toyonori; 3F Tamayanagi Building, 3-1, Rokubancho, Chiyoda-ku, Tokyo 102 (JP)
Données relatives à la priorité :
1/325442 15.12.1989 JP
Titre (EN) PROCESS FOR FORMING EPITAXIAL FILM
(FR) PROCEDE DE FORMATION DE PELLICULES EPITAXIALES
Abrégé : front page image
(EN)A process for forming an epitaxial film by applying a bias and a high-frequency electric power for plasma generation to a target and forming a film on a biased substrate by the sputtering of the target, wherein the substrate is kept in the temperature range of 400 to 700 °C in an atmosphere where the partial pressure of each of H¿2?O, CO and CO¿2? is 1.0 x 10?-8¿ Torr in the film forming step. The obtained epitaxial film has excellent interfacial properties, an extremely reduced impurity content, a good crystallinity and an excellent step coverage, so that it can be suitably applied to semiconductor devices.
(FR)Un procédé permet de former une pellicule épitaxiale par application sur une cible d'une tension de polarisation et d'une énergie électrique de haute fréquence, à des fins de génération de plasma, et par formation d'une pellicule sur le substrat polarisé par pulvérisation sur la cible. Selon le procédé, on maintient le substrat à une température comprise entre 400 et 700 °C dans une atmosphère où la pression partielle d'H¿2?O, de CO de CO¿2? est égale à 1,0 x 10?-8¿ Torr pendant l'étape de formation de la pellicule. La pellicule épitaxiale ainsi obtenue a d'excellentes propriétés d'interface, une teneur en impuretés extrêmement réduite, une bonne cristallinité et une excellente capacité de couverture de dénivellations, de sorte que l'on peut l'appliquer de manière avantageuse sur des dispositifs semiconducteurs.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB, IT, NL).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)