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1. WO1991006969 - SOURCE D'IONS METALLIQUES ET PROCEDE POUR LA PRODUCTION D'IONS METALLIQUES

Numéro de publication WO/1991/006969
Date de publication 16.05.1991
N° de la demande internationale PCT/DE1990/000666
Date du dépôt international 31.08.1990
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 05.02.1991
CIB
H01J 27/22 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
27Tubes à faisceau ionique
02Sources d'ions; Canons à ions
20utilisant un bombardement de particules, p.ex. ioniseurs
22Sources d'ions métalliques
H01J 37/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
02Détails
04Dispositions des électrodes et organes associés en vue de produire ou de commander la décharge, p.ex. dispositif électronoptique, dispositif ionoptique
08Sources d'ions; Canons à ions
CPC
H01J 2237/081
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
06Sources
08Ion sources
081Sputtering sources
H01J 2237/082
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
06Sources
08Ion sources
0815Methods of ionisation
082Electron beam
H01J 2237/31701
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
30Electron or ion beam tubes for processing objects
317Processing objects on a microscale
31701Ion implantation
H01J 27/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
27Ion beam tubes
02Ion sources; Ion guns
20using particle ; beam; bombardment, e.g. ionisers
22Metal ion sources
H01J 37/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
02Details
04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
08Ion sources; Ion guns
Déposants
  • FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • KLUGE, Andreas [DE]/[DE] (UsOnly)
  • NELLE, Peter [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • KLUGE, Andreas
  • NELLE, Peter
Mandataires
  • SCHOPPE, Fritz
Données relatives à la priorité
P 39 35 408.324.10.1989DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) METALLIONENQUELLE UND VERFAHREN ZUM ERZEUGEN VON METALLIONEN
(EN) METAL-ION SOURCE AND PROCESS FOR THE GENERATION OF METAL IONS
(FR) SOURCE D'IONS METALLIQUES ET PROCEDE POUR LA PRODUCTION D'IONS METALLIQUES
Abrégé
(DE)
Zur Vereinfachung der Struktur einer Metallionenquelle, insbesondere für die Implantation niedriger Dosen von schwer verdampfbaren Metallen in Halbleiterwafern, umfasst die Metallionenquelle eine elektrisch beheizbare Glühkathode in Form eines Heizdrahtes innerhalb einer Ionenkammer (1a), wobei der Heizdraht (3) nahe an einem Metallteil (6) aus dem zur Abgabe der Metallionen bestimmten Metall angeordnet ist und im wesentlichen auf dessen Potential liegt.
(EN)
In order to simplify the structure of a metal-ion source, in particular a source for the implantation of low doses of non-volatile metals in semiconductor wafers, the invention calls for the metal-ion source to include an electrically-heated thermionic cathode in the form of a hot wire inside an ion chamber (1a), the hot wire (3) being located close to an element (6) made of the metal to be ionized and being at substantially the same potential.
(FR)
Pour simplifier la structure d'une source d'ions métalliques, en particulier pour l'implantation de faibles doses de métaux difficilement évaporables dans des tranches de silicium semiconductrices, la source d'ions métalliques comporte une cathode incandescente chauffable électriquement sous la forme d'un filament chauffant à l'intérieur d'une chambre à ions (1a), ledit filament chauffant (3) étant disposé près d'une pièce métallique (6) dans le métal destiné au dégagement d'ions métalliques et placé essentiellement au potentiel dudit métal.
Également publié en tant que
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