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1. (WO1991004942) PROCEDE D'EPURATION DE TRIFLUORURE D'AZOTE A L'ETAT GAZEUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1991/004942    N° de la demande internationale :    PCT/JP1989/001038
Date de publication : 18.04.1991 Date de dépôt international : 09.10.1989
CIB :
C01B 9/08 (2006.01), C01B 21/083 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : MITSUI TOATSU CHEMICALS, INCORPORATED [JP/JP]; 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Ciyoda-ku, Tokyo 100 (JP) (Tous Sauf US).
HARADA, Isao [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HOKONOHARA, Hisashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAGUCHI, Toshiaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HARADA, Isao; (JP).
HOKONOHARA, Hisashi; (JP).
YAMAGUCHI, Toshiaki; (JP)
Mandataire : FUJIMOTO, Hiromitsu; Fujimoto Patent & Law Office, Urban Toranomon Bldg., 7th Fl., 16-4, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PROCESS FOR PURIFYING NITROGEN TRIFLUORIDE GAS
(FR) PROCEDE D'EPURATION DE TRIFLUORURE D'AZOTE A L'ETAT GAZEUX
Abrégé : front page image
(EN)A process for purifying a nitrogen trifluoride gas according to the invention comprises heating a NF3 gas containing N2F2 as an impurity to a specific temperature in a vessel lined with a tough passivated nickel fluoride coating. This process enables the removal of N2F2 gas at a high rate with a small loss of NF3. Thus, a high-purity NF3 gas favorable as a starting material for a dry etching agent for semiconductors can be obtained with ease and safety by again purifying the NF3 gas, which has been purified by this process, using a known adsorbent.
(FR)Procédé d'épuration de trifluorure d'azote à l'état gazeux, consistant à chauffer du NF3 gazeux, contenant du N2F2 en tant qu'impureté, à une température spécifique dans un récipient revêtu d'une couche résistante de fluorure de nickel passivée. Ce procédé permet d'éliminer en grande quantité le N2F2 à l'état gazeux avec une faible perte de NF3. On peut ainsi produire aisément et en toute sécurité du NF3 utilisé comme substance de départ pour un agent de gravure à sec de semi-conducteurs, en épurant encore à l'aide d'un adsorbant connu le NF3 gazeux, qui a déjà été épuré par ce procédé.
États désignés : KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (BE, CH, DE, FR, GB, IT, NL, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)