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1. (WO1991003875) CIRCUIT DE CHANGEMENT DE NIVEAU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1991/003875    N° de la demande internationale :    PCT/US1990/004845
Date de publication : 21.03.1991 Date de dépôt international : 28.08.1990
CIB :
H03K 19/003 (2006.01), H03K 19/018 (2006.01)
Déposants : ANALOG DEVICES, INC. [US/US]; Route 1, Industrial Park, Norwood, MA 02062 (US)
Inventeurs : JORDAN, Edward, Perry; (US)
Mandataire : McCLELLAN, William, R.; Wolf, Greenfield & Sacks, 600 Atlantic Avenue, Boston, MA 02210 (US)
Données relatives à la priorité :
401,065 31.08.1989 US
Titre (EN) LEVEL SHIFT CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE CHANGEMENT DE NIVEAU
Abrégé : front page image
(EN)A level shift circuit for converting an input signal referenced to a positive voltage to an output signal referenced to a lower voltage, such as ground. The level shift circuit includes one or more level shift stages (40, 50) and a reference current generator (60) for causing a constant current to be drawn through each level shift stage. Each level shift stage includes a first transistor (42, 52) having a base for receiving the input signal and a collector connected to the positive voltage (VCC), a second transistor (44, 54) having an emitter coupled to ground, and a level shift resistor (46, 56) coupled between the emitter of the first transistor (42, 52) and the collector of the second transistor (44, 54). The output signal from the collector of the second transistor (44, 54) is typically supplied to a TTL output stage. The reference current generator (60) automatically compensates for temperature and power supply variations, so that the output of the level shift circuit tracks the threshold of the TTL output stage.
(FR)Circuit de changement de niveau permettant de transformer un signal d'entrée rapporté à une tension positive en un signal de sortie rapporté à une tension plus basse, telle que la masse. Le circuit de changement de niveau comprend un ou plusieurs étages de changement (40, 50) ainsi qu'un générateur de courant de référence (60) permettant de prélever du courant constant à chaque étage de changement de niveau. Chaque étage de changement de niveau comprend un premier transistor (42, 52) muni d'une base pour recevoir le signal d'entrée ainsi qu'un collecteur relié à la tension positive (VCC). Chaque étage comprend également un deuxième transistor (44, 54) comportant un émetteur couplé à la masse, et une résistance de changement de niveau (46, 56) couplée entre l'émetteur du premier transistor (42, 52) et le collecteur du deuxième transistor (44, 54). Le signal de sortie provenant du collecteur du deuxième transistor (44, 54) est typiquement envoyé à un étage de sortie TTL. Le générateur de courant de référence (60) compense automatiquement les variations de température et de source d'énergie, de sorte que la sortie du circuit de changement de niveau suit le seuil de l'étage de sortie TTL.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)