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1. (WO1991003838) APPAREIL D'IMAGERIE A CHARGE COUPLEE ET PROCEDE DE FONCTIONNEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1991/003838    N° de la demande internationale :    PCT/US1990/004913
Date de publication : 21.03.1991 Date de dépôt international : 29.08.1990
CIB :
H01L 27/148 (2006.01)
Déposants : EASTMAN KODAK COMPANY [US/US]; 343 State Street, Rochester, NY 14650 (US)
Inventeurs : ERHARDT, Herbert, James; (US)
Mandataire : SCHAPER, Donald, D.; 343 State Street, Rochester, NY 14650-2201 (US)
Données relatives à la priorité :
402,311 05.09.1989 US
Titre (EN) CHARGE-COUPLED DEVICE (CCD) IMAGER AND METHOD OF OPERATION
(FR) APPAREIL D'IMAGERIE A CHARGE COUPLEE ET PROCEDE DE FONCTIONNEMENT
Abrégé : front page image
(EN)A charge-coupled imager includes in a substrate (12) of a semiconductor material a plurality of spaced photodetectors (16) arranged in a line. The photodetectors (16) are each of a type that can be completely depleted. A suitable photodetector (16) is a pinned photodiode. A separate accumulation region (18) is contiguous with one side of each of the photodetectors (16). A potential is applied to each accumulation region (18) which forms an accumulation well (38) therein which is lower than that in its respective photodiode so that charge carriers generated in the photodiode will continuously flow into the accumulation region (18). An anti-blooming drain (24) is provided adjacent each accumulation region (18) with the potential barrier between the anti-blooming drain (24) and the accumulation region (18) being below thepotential well in the photodiode so that when the accumulation region (18) fills with charge carriers to the level of the potential barrier any additional charge carriers will overflow into the anti-blooming drain (24). This maintains the level of the potential well (38) in the accumulation region (18) below that in the photodiode to allow the continuous flow of charge carriers from the photodiode into the accumulation region. A CCD shift register (20) extends along the line of accumulation region (18) and has a transfer gate (29) which allows the charge carriers in the accumulation regions (18) to be transferred into the shift register (20).
(FR)Un appareil d'imagerie à charge couplée comprend dans un substrat (12) en matériau semiconducteur, une pluralité de photodétecteurs (16) espacés, agencés en ligne. Les photodétecteurs (16) sont chacun d'un type pouvant être complètement appauvri. Un photodétecteur (16) approprié est une photodiode à régions P-I-N. Une région (18) d'accumulation séparée est contigue à un côté de chacun des photodétecteurs (16). On applique un potentiel à chaque région (18) d'accumulation formant un puits (38) d'accumulation dans ladite région, lequel est plus profond que celui se trouvant dans sa photodiode respective, de sorte que des porteurs de charge générés dans la photodiode s'écoulent de manière continue dans ladite région (18) d'accumulation. On a prévu un drain (24) anti-flou à proximité de chaque région (18) d'accumulation, la barrière de potentiel se trouvant entre ledit drain (24) anti-flou et ladite région (18) d'accumulation se trouvant au-dessous du puits de potentiel situé dans la photodiode de sorte que lorsque ladite région (18) d'accumulation se remplit de porteurs de charge jusqu'au niveau de la barrière de potentiel, les éventuels porteurs de charge supplémentaires débordent dans ledit drain (24) anti-flou. Cet agencement maintient le niveau du puits (38) de potentiel dans ladite région (18) d'accumulation au-dessous de celui se trouvant dans la photodiode, afin de permettre l'écoulement continu de porteurs de charge de ladite photodiode jusque dans ladite région d'accumulation. Un registre (20) de décalage de dispositif à couplage de charge s'étend le long de la ligne de ladite région (18) d'accumulation, et comporte une porte (29) de transfert permettant le transfert des porteurs de charge se trouvant dans les régions (18) d'accumulation, jusque dans ledit registre (20) de décalage.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)