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1. (WO1991003834) PROCEDE POUR DEPOSER SELECTIVEMENT DE LA MATIERE SUR DES SUBSTRATS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1991/003834    N° de la demande internationale :    PCT/US1990/005001
Date de publication : 21.03.1991 Date de dépôt international : 04.09.1990
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.03.1991    
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : MCNC [US/US]; 3021 Cornwallis Road, P.O. Box 12889, Research Triangle Park, NC 27709 (US)
Inventeurs : REISMAN, Arnold; (US).
JONES, Gary, Wayne; (US)
Mandataire : McCOY, Michael, D.; Bell, Seltzer, Park & Gibson, P.O. Drawer 34009, Charlotte, NC 28234 (US)
Données relatives à la priorité :
402,794 05.09.1989 US
Titre (EN) METHOD FOR SELECTIVELY DEPOSITING MATERIAL ON SUBSTRATES
(FR) PROCEDE POUR DEPOSER SELECTIVEMENT DE LA MATIERE SUR DES SUBSTRATS
Abrégé : front page image
(EN)An alternating cyclic (A.C.) method for selectively depositing materials, on the surface of a substrate without depositing the material on an adjacent mask layer. A gas of a reducible compound of the material and a reducing gas, preferably hydrogen, are simultaneously flowed through a reaction chamber to deposit the material on the substrate surface and to a lesser extent on the mask layer. Then, the flow of reducing gas is interrupted to cause the reducible compound gas to etch the material which forms on the mask layer in a disproportionation reaction. The deposition and etch steps are repeated in an alternating cyclic fashion until the requisite thickness is deposited. The process may take place in a single reaction chamber, using only the reducible compound gas and pulsed flow of the reducing gas.
(FR)Un procédé cyclique alternatif (A.C.) permet de déposer sélectivement des matières sur la surface d'un substrat sans déposer la matière sur une couche de masquage adjacente. On fait couler simultanément un gaz d'un composé réductible de la matière ainsi qu'un gaz réducteur, de préférence l'hydrogène, à travers une chambre de réaction de manière à déposer la matière sur la surface du substrat et, à un moindre degré, sur la couche de masquage. Ensuite, on interrompt l'écoulement du gaz réducteur de sorte que le gaz du composé réductible attaque la matière qui se forme sur la couche de masquage dans une réaction de disproportionnement. Les étapes de déposition et d'attaque de manière cyclique alternative sont répétées jusqu'à ce que l'épaisseur requise soit déposée. Le procédé peut s'effectuer dans une seule chambre de réaction, utilisant seulement le gaz du composé réductible et l'écoulement d'impulsion du gaz réducteur.
États désignés : CA, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)