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1. (WO1991003745) RESEAU DE DETECTEURS AU SILICIUM AMORPHE A ELEMENTS MULTIPLES D'IMAGERIE ET DE DOSIMETRIE EN TEMPS REEL DE PHOTONS DE MEGATENSION ET DE RAYONS X DE DIAGNOSTIC
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1991/003745    N° de la demande internationale :    PCT/US1990/005029
Date de publication : 21.03.1991 Date de dépôt international : 06.09.1990
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.04.1991    
CIB :
A61B 6/03 (2006.01), A61N 5/10 (2006.01), G01T 1/24 (2006.01), G01T 1/29 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF MICHIGAN [US/US]; 475 East Jefferson Street, Room 2354, Ann Arbor, MI 48109-1248 (US).
XEROX CORPORATION [US/US]; 3333 Coyote Hill Road, Palo Alto, CA 94304 (US)
Inventeurs : ANTONUK, Larry, E.; (US).
STREET, Robert, A.; (US)
Mandataire : LAVALLEYE, Jean-Paul; Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, Fourth Floor, 1755 South Jefferson Davis Highway, Arlington, VA 22202 (US)
Données relatives à la priorité :
403,450 06.09.1989 US
Titre (EN) MULTI-ELEMENT-AMORPHOUS-SILICON-DETECTOR-ARRAY FOR REAL-TIME IMAGING AND DOSIMETRY OF MEGAVOLTAGE PHOTONS AND DIAGNOSTIC X-RAYS
(FR) RESEAU DE DETECTEURS AU SILICIUM AMORPHE A ELEMENTS MULTIPLES D'IMAGERIE ET DE DOSIMETRIE EN TEMPS REEL DE PHOTONS DE MEGATENSION ET DE RAYONS X DE DIAGNOSTIC
Abrégé : front page image
(EN)A multi-element-amorphous-silicon detector-array real-time imager and dosimeter for diagnostic or megavoltage X rays having megavoltage photons having a plurality of photodiodes (30) made of hydrogenated amorphous silicon arrayed in columns and rows upon a glass substrate (12). Each photodiode (30) is connected to a thin film field effect transistor (52) also located upon the glass substrate (12). Upper and lower metal contacts (22, 38) are located below and above the photodiodes (30) to provide the photodiodes (30) with a reverse bias. The capacitance of each photodiode (30) when multiplied by the resistance of the field effect transistor (52) to which it is connected yields an RC time constant sufficiently small to allow real time imaging.
(FR)Dispositif d'imagerie et dosimètre en temps réel à réseau de détecteurs au silicium amorphe à éléments multiples, pour rayons X de diagnostic ou de mégatension, comportant des photons de mégatension ayant une pluralité de photodiodes (30) en silicium amorphe hydrogéné, disposées en réseau dans des colonnes et dans des rangées sur un substrat (12) en verre. Chaque photodiode (30) est connecté à un transistor (52) à effet de champ à couche mince, également placé sur le substrat (12) en verre. Des contacts (22, 38) métalliques supérieur et inférieur sont situés en-dessous et au-dessus des photodiodes (30) afin de donner à ces dernières (30) une polarisation inverse. La capacité de chaque photodiode (30), lorsqu'elle est multipliée par la résistance du transistor (52) à effet de champ auquel elle est connectée, produit une constante de temps RC suffisamment faible pour permettre une imagerie en temps réel.
États désignés : CA, JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)