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1. WO1990010729 - CHAMBRE AMELIOREE DE GRAVURE A MEMBRANE DE DISPERSION DE GAZ

Numéro de publication WO/1990/010729
Date de publication 20.09.1990
N° de la demande internationale PCT/US1990/000792
Date du dépôt international 12.02.1990
CIB
H01J 37/32 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01L 21/00 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
CPC
H01J 37/3244
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3244Gas supply means
H01L 21/67069
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67063for etching
67069for drying etching
Y10S 438/935
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
438Semiconductor device manufacturing: process
935Gas flow control
Déposants
  • FSI INTERNATIONAL, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • SYVERSON, Daniel, J.
  • NOVAK, Richard, E.
Mandataires
  • PALMATIER, H., Dale
Données relatives à la priorité
320,49408.03.1989US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) IMPROVED ETCH CHAMBER WITH GAS DISPERSING MEMBRANE
(FR) CHAMBRE AMELIOREE DE GRAVURE A MEMBRANE DE DISPERSION DE GAZ
Abrégé
(EN) Processing gases in an etching chamber (10) for semiconductor wafers (W) are dispersed by a porous plastic membrane (20) interposed between the source (21) of gases and the wafer (W) being processed. A peripheral outlet (23) in the chamber wall exhausting gases is also traversed by a porous plastic membrane (27).
(FR) Les gaz de traitement contenus dans une chambre de gravure (10) de tranches semi-conductrices (W) sont dispersés par une membrane plastique poreuse (20) intercalée entre la source (21) des gaz et la tranche (W) en train d'être traitée. Un orifice périphérique de sortie (23) ménagé dans la paroi de la chambre, par lequel les gaz sont évacués, est également recouvert d'une membrane plastique poreuse (27).
Documents de brevet associés
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