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1. (WO1990007196) DIODE ELECTROLUMINESCENTE EMETTANT DANS LE BLEU CONSTITUEE EN CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1990/007196 N° de la demande internationale : PCT/US1989/005555
Date de publication : 28.06.1990 Date de dépôt international : 13.12.1989
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 13.07.1990
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
Déposants :
CREE RESEARCH, INC. [US/US]; 2810 Meridian Parkway, Suite 176 Durham, NC 27713, US
Inventeurs :
EDMOND, John, A.; US
Mandataire :
MYERS, James, D. ; Bell, Seltzer, Park & Gibson P.O. Drawer 34009 Charlotte, NC 28234, US
WARREN, Anthony, Robert; Baron & Warren 18 South End, Kensington London W8 5BU, GB
Données relatives à la priorité :
284,29314.12.1988US
399,30128.08.1989US
Titre (EN) BLUE LIGHT EMITTING DIODE FORMED IN SILICON CARBIDE
(FR) DIODE ELECTROLUMINESCENTE EMETTANT DANS LE BLEU CONSTITUEE EN CARBURE DE SILICIUM
Abrégé :
(EN) The present invention comprises a light emitting diode formed in silicon carbide and that emits visible light having a wavelength of between about 465-470 nanometers, or between about 455-460 nanometers, or between about 424-428 nanometers. The diode comprises a substrate of alpha silicon carbide having a first conductivity type and a first epitaxial layer of alpha silicon carbide upon the substrate having the same conductivity type as the substrate. A second epitaxial layer of alpha silicon carbide is upon the first epitaxial layer, has the opposite conductivity type from the first layer, and forms a p-n junction with the first epitaxial layer. In preferred embodiments, the first and second epitaxial layers have carrier concentrations sufficiently different from one another so that the amount of hole current and electron current that flow across the junction under biased conditions are different from one another and so that the majority of recombination events takes place in the desired epitaxial layer.
(FR) La présente invention se rapporte à une diode électroluminescente qui est constituée en carbure de silicium et qui émet une lumière visible d'une longueur d'onde comprise entre environ 465 et 470 nanomètres ou entre environ 455 et 460 nanomètres ou entre environ 424 et 428 nanomètres. Cette diode comprend un substrat en carbure de silicium alpha ayant un premier type de conductivité, ainsi qu'une première couche épitaxiale en carbure de silicium alpha placée sur le substrat et ayant le même type de conductivité que le substrat. Une seconde couche épitaxiale en carbure de silicium alpha est placée sur la première couche épitaxiale, présente le type de conductivité opposée par rapport à la première couche et forme une jonction p-n avec la première couche épitaxiale. Dans les modes de réalisation préférés, les première et seconde couches épitaxiales présentent des concentrations des porteurs suffisamment différentes entre elles pour que la quantité du courant de trous et du courant d'électrons qui traverse la jonction dans des conditions de polarisation soit différente d'une couche à l'autre et pour que la majeure partie des évènements de recombinaison se produisent dans la couche épitaxiale désirée.
États désignés : AT, AU, BB, BG, BR, CH, DE, DK, FI, GB, HU, JP, KP, KR, LK, LU, MC, MG, MW, NL, NO, RO, SD, SE, SU
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, ES, FR, GB, IT, LU, NL, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CM, GA, ML, MR, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP0448607JPH05502546KR1019910700548AU1990047592