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1. (WO1990007193) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT UN CIRCUIT INTEGRE A TRANSISTOR VERTICAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1990/007193 N° de la demande internationale : PCT/NL1989/000097
Date de publication : 28.06.1990 Date de dépôt international : 18.12.1989
CIB :
H01L 29/08 (2006.01) ,H01L 29/417 (2006.01) ,H01L 29/732 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
08
avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
41
caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
417
transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70
Dispositifs bipolaires
72
Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
73
Transistors bipolaires à jonction
732
Transistors verticaux
Déposants :
N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven, NL (AllExceptUS)
LEDUC, Pierre [FR/FR]; FR (UsOnly)
Inventeurs :
LEDUC, Pierre; FR
Mandataire :
HOUBIERS, Ernest, Emile, Marie, Gerlach ; Internationaal Octrooibureau B.V. P.O. Box 220 NL-5600 AE Eindhoven, NL
Données relatives à la priorité :
88/1664016.12.1988FR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING AN INTEGRATED CIRCUIT HAVING A VERTICAL TRANSISTOR
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT UN CIRCUIT INTEGRE A TRANSISTOR VERTICAL
Abrégé :
(EN) The invention relates to an integrated circuit having a vertical transistor. According to the invention, a transistor having a current amplification $g(b) considerably higher than a conventional transistor is obtained due to the fact that the emitter (5) of the said transistor has a thickness and a doping level such that the diffusion length of the minority charge carriers injected vertically into the latter is greater than or equal to the thickness of the emitter (5) and the emitter contact region is so small that during operation the total current of minority charge carriers injected from the base into the emitter region is much smaller than the current density of minority carriers injected from the base into the emitter region under the emitter contact region multiplied by the total surface area of the emitter region.
(FR) La présente invention concerne un circuit intégré à transistor vertical. On obtient un transistor ayant une amplification de courant $g(b) notablement supérieure à un transistor classique grâce au fait que l'émetteur (5) dudit transistor présente une épaisseur et un niveau de dopage tels que la longueur de diffusion des porteurs minoritaires de charge injectés verticalement dans ce dernier est supérieure ou égale à l'épaisseur de l'émetteur (5), et que la région de contact de l'émetteur est si faible que pendant le fonctionnement, le courant total des porteurs minoritaires de charge injectés depuis la base dans la région d'émetteur est bien plus faible que la densité de courant des porteurs minoritaires injectés depuis la base dans la région d'émetteur au-dessous de la région de contact d'émetteur, multipliée par la surface totale de la région d'émetteur.
États désignés : JP, KR, US
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, ES, FR, GB, IT, LU, NL, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP0401354US5250838DE000068922212FR2640813