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1. (WO1990007021) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1990/007021 N° de la demande internationale : PCT/JP1989/001248
Date de publication : 28.06.1990 Date de dépôt international : 13.12.1989
CIB :
C30B 11/00 (2006.01) ,C30B 35/00 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
11
Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
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Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
Déposants :
MITSUI MINING CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Nihonbashi-Muromachi 2-chome Chuo-ku Tokyo 103, JP (AllExceptUS)
OMINO, Akira [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
OMINO, Akira; JP
Mandataire :
WAKABAYASHI, Tadashi; 8th Floor, 16th Kowa Bldg. 9-20, Akasaka 1-chome Minato-ku Tokyo 107, JP
Données relatives à la priorité :
63/31379514.12.1988JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL
Abrégé :
(EN) The invention relates to a process for producing single crystal by solidification from a melt, which comprises using a triple-structure crucible constituted of an outer cylinder made of a high-melting metal or alloy having a melting point of 1500°C or above, an inner cylinder made of one or more of a high-melting ceramic material and a carbonaceous material such as graphite, pyrolytic graphite or vitreous carbon, and an intermediate cylinder made of quartz glass, placing the inner cylinder holding the starting material in the intermediate cylinder to effect hermetical sealing, inserting the intermediate cylinder into the outer cylinder, welding the outer cylinder to effect sealing, and heating the crucible to melt the starting material and cause crystal growth.
(FR) Procédé de production d'un monocristal par solidification d'une substance en fusion, consistant à utiliser un creuset à triple structure constitué d'un cylindre externe composé d'un métal ou d'un alliage à point de fusion élevé égal ou supérieur à 1500°C, d'un cylindre interne composé d'un ou de plusieurs matériaux céramiques à point de fusion élevé et d'un matériau carboné tel que du graphite, du graphite pyrolytique ou du carbone vitreux, et d'un cylindre intermédiaire composé de verre quartzeux. Le procédé consiste en outre à placer le cylindre interne contenant le matériau de départ dans le cylindre intermédiaire pour égaliser un scellement étanche, à introduire le cylindre intermédiaire dans le cylindre externe, à souder le cylindre externe pour effectuer le scellement et à chauffer le creuset pour fondre le matériau de départ et provoquer la croissance du cristal.
États désignés : US
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, ES, FR, GB, IT, LU, NL, SE)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
EP0401387US5167759