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1. (WO1990007019) REACTEUR DE DEPOT EN PHASE GAZEUSE PAR PROCEDE CHIMIQUE ET SON PROCEDE D'UTILISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1990/007019 N° de la demande internationale : PCT/US1988/004590
Date de publication : 28.06.1990 Date de dépôt international : 21.12.1988
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 18.07.1990
CIB :
C23C 16/44 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01) ,C23C 16/458 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
455
caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
458
caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
Déposants :
MONKOWSKI-RHINE, INC. [US/US]; 9250 Trade Place, #500 San Diego, CA 92126, US
Inventeurs :
MONKOWSKI, Joseph, R.; US
LOGAN, Mark, A.; US
Mandataire :
HESLIN, James, M.; Townsend and Townsend One Market Plaza 2000 Steuart Tower San Francisco, CA 94105, US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) CHEMICAL VAPOR DEPOSITION REACTOR AND METHOD FOR USE THEREOF
(FR) REACTEUR DE DEPOT EN PHASE GAZEUSE PAR PROCEDE CHIMIQUE ET SON PROCEDE D'UTILISATION
Abrégé :
(EN) A chemical vapor deposition (CVD) reactor (2) is described which comprises an annular reaction zone (18) with means for one or more reactive gases to be passed in single pass radial flow in which there is little lateral diffusion, means for preventing recirculation of reactive gases or reaction products from occuring at any point in the reaction chamber, and means in the reaction chamber for maintaining a laminar gas flow. Rotational means permit the wafer support plates (32) and wafers (34) to be rotated around the central axis (4) of the reaction zone (18) and different gases (A, B) may be passed over the wafers (34) at different points in the reaction zone (18) such that two or more materials can be deposited on the wafers (34) during a single reactor run. Rotation through alternating deposition zones can also be done repeatedly such that a series of alternating layers of two different deposited materials is built up.
(FR) On décrit un réacteur de dépôt en phase gazeuse par procédé chimique (2), comprenant une zone annulaire de réaction (18), un dispositif permettant d'introduire un ou plusieurs gaz de réaction en un flux radial undirectionnel avec une diffusion latérale minime, un dispositif empêchant les gaz ou les produits de réaction survenant en tout point dans la chambre de réaction de recirculer dans le système, et un dispositif dans la chambre de réaction permettant de maintenir un flux de gaz laminaire. Un dispositif de rotation fait tourner les plaques de support des tranches (32) ainsi que les tranches (34) autour de l'axe central (4) de la zone de réaction (18). On peut faire passer sur les tranches (34) différents gaz (A, B) à différents endroits de la zone de réaction (18), de sorte que l'on peut déposer deux ou plusieurs matériaux sur les tranches (34) au cours d'une seule opération du réacteur. On peut également déposer par alternance une série de couches de deux matériaux différents en effectuant à plusieurs reprises une rotation entre les zones de dépôt alternées.
États désignés : JP, KR
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP0449821JPH04504442DE000003889735KR1019910700360