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1. (WO1990006626) AMPLIFICATEUR A ENTREE SIMPLE ET A SORTIE DIFFERENTIELLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1990/006626 N° de la demande internationale : PCT/US1989/005059
Date de publication : 14.06.1990 Date de dépôt international : 16.11.1989
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 10.05.1990
CIB :
H03F 3/30 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
30
Amplificateurs push-pull à sortie unique; Déphaseurs pour ceux-ci
Déposants :
MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road Schaumburg, IL 60196, US
Inventeurs :
FERRER, Enrique; US
Mandataire :
PARMELEE, Steven, G. ; Motorola, Inc. Intellectual Property Dept. 1303 East Algonquin Road Schaumburg, IL 60196, US
Données relatives à la priorité :
278,38101.12.1988US
Titre (EN) SINGLE INPUT TO DIFFERENTIAL OUTPUT AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR A ENTREE SIMPLE ET A SORTIE DIFFERENTIELLE
Abrégé :
(EN) A single input, differential output amplifier (50) includes two Gallium Arsenide field effect transistors: one arranged to form a common gate amplifier (55) to provide a non-inverting output (60), and the other arranged to form a common source (65) amplifier to provide an inverting output (61). The input of each FET is connected to receive an input signal simultaneously thereby minimizing phase delay in the differential output signals. In another aspect of the invention, the non-inverting stage (55) is incorporated into the biasing network for the inverting amplifier (65).
(FR) Un amplificateur à entrée simple et à sortie différentielle (50) comprend deux transistors à effet de champ à l'arséniure de gallium, l'un agencé pour former un amplificateur à porte commune (55) pour établir une sortie de non inversion (60) et l'autre agencé pour former un amplificateur de source commune (65) pour établir une sortie d'inversion (61). L'entrée de chaque transistor à effet de champ est connectée pour recevoir un signal d'entrée simultanément de manière à réduire au minimum le retard de phase dans les signaux de sortie différentielle. Dans un autre aspect de l'invention, l'étage de non inversion (55) est incorporé dans le réseau de polarisation pour l'amplificateur d'inversion (65).
États désignés : JP, KR
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, ES, FR, GB, IT, LU, NL, SE)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
EP0446275CA2000367KR1019900702643