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1. (WO1990006611) ONDULEUR A COMMANDE DE BASE PROPORTIONNELLE COMMANDE PAR UN TRANSFORMATEUR D'INTENSITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1990/006611 N° de la demande internationale : PCT/US1989/004442
Date de publication : 14.06.1990 Date de dépôt international : 10.10.1989
CIB :
H02M 1/08 (2006.01) ,H03K 17/042 (2006.01) ,H03K 17/615 (2006.01) ,H03K 17/66 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
1
Détails d'appareils pour transformation
08
Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
04
Modifications pour accélérer la commutation
042
par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51
caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
56
par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
60
les dispositifs étant des transistors bipolaires
615
dans une configuration Darlington
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51
caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
56
par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
60
les dispositifs étant des transistors bipolaires
66
Dispositifs de commutation pour faire passer le courant dans une direction ou dans l'autre à volonté; Dispositifs de commutation pour inverser le sens du courant à volonté
Déposants :
SUNDSTRAND CORPORATION [US/US]; 4949 Harrison Avenue P.O. Box 7003 Rockford, IL 61125, US
Inventeurs :
SHEKHAWAT, Sampat, S.; US
DHYANCHAND, John, D.; US
Mandataire :
LANYI, William, D.; 4949 Harrison Avenue P.O. Box 7003 Rockford, IL 61125, US
Données relatives à la priorité :
270,84714.11.1988US
Titre (EN) INVERTER WITH PROPORTIONAL BASE DRIVE CONTROLLED BY A CURRENT TRANSFORMER
(FR) ONDULEUR A COMMANDE DE BASE PROPORTIONNELLE COMMANDE PAR UN TRANSFORMATEUR D'INTENSITE
Abrégé :
(EN) A proportional base drive (100, 200, 300 and 400) for at least one bipolar transistor (102) having a controlled conductivity which is proportional to current flowing in a load coupled to the switch in accordance with the invention includes a current transformer (112) having a primary winding (114) coupled to an output of the bipolar transistor switch and at least one secondary winding (116); a positive feedback circuit (110) coupled between an emitter of the bipolar transistor switch and the base of the bipolar transistor switch for applying positive feedback from the emitter to the base; a feedback switch (122) disposed in the positive feedback circuit for controlling the flow of current in the positive feedback circuit with the feedback switch having conductive and non-conductive states; a rectifier (120), disposed in the positive feedback circuit, for permitting current to flow to the base of the bipolar transistor switch from the emitter of the bipolar transistor switch when the bipolar transistor switch is conductive and blocking flow of current from the base to the emitter; a first secondary winding of the current transformer being disposed in the feedback circuit for causing a positive feedback to be applied to the base of the bipolar transistor switch when the bipolar transistor switch is conductive; and a base drive control circuit (106) for producing at least one control signal coupled to the base of the bipolar transistor switch and to a control electrode of the feedback switch with the at least one control signal controlling the conductivity of the feedback switch and the bipolar transistor switch.
(FR) Une commande de base proportionnelle (100, 200, 300 et 400) destinée à au moins un transistor bipolaire (102) ayant une conductivité commandée qui est proportionnelle au courant circulant dans une charge reliée à l'interrupteur comprend un transformateur d'intensité (112) possédant un enroulement primaire (114) relié à une sortie du commutateur à transistor bipolaire et au moins un enroulement secondaire (116); un circuit de réaction (110) relié entre un émetteur du commutateur à transistor bipolaire et la base du commutateur à transistor bipolaire pour créer une réaction positive de l'émetteur à la base; un commutateur de réaction (122) disposé dans le circuit de réaction positive pour commander l'intensité de courant dans le circuit de réaction positive, le commutateur de réaction ayant des états conducteurs et non conducteurs; un redresseur (120) placé dans le circuit de réaction positive pour permettre au courant de circuler vers la base du commutateur à transistor bipolaire depuis l'émetteur du commutateur à transistor bipolaire lorsque celui-ci est conducteur et pour supprimer le courant de la base vers l'émetteur; un premier enroulement secondaire du transformateur d'intensité étant placé dans le circuit de réaction afin de provoquer une réaction positive vers la base du commutateur à transistor bipolaire lorsque celui-ci est conducteur; et un circuit de commande du circuit d'attaque de base (106) destiné à produire au moins un signal de commande relié à la base du commutateur à transistor bipolaire et à une électrode de commande de l'interrupteur de réaction et du commutateur à transistor bipolaire.
États désignés : JP
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)