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1. (WO1990006595) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP MOS DE GRANDEUR INFERIEURE AU MICRON ET A COUCHE ULTRAFINE AVEC CANAL INTRINSEQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1990/006595 N° de la demande internationale : PCT/US1989/005327
Date de publication : 14.06.1990 Date de dépôt international : 27.11.1989
CIB :
H01L 29/786 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
Déposants :
HUGHES AIRCRAFT COMPANY [US/US]; 7200 Hughes Terrace Los Angeles, CA 90045-0066, US
Inventeurs :
TERRILL, Kyle, W.; US
VASUDEV, Prahalad, K.; US
Mandataire :
COBLE, Paul, M. ; Hughes Aircraft Company P.O. Box 45066 Bldg. C1, MS A126 Los Angeles, CA 90045-0066, US
Données relatives à la priorité :
282,15009.12.1988US
Titre (EN) ULTRATHIN SUBMICRON MOSFET WITH INTRINSIC CHANNEL
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP MOS DE GRANDEUR INFERIEURE AU MICRON ET A COUCHE ULTRAFINE AVEC CANAL INTRINSEQUE
Abrégé :
(EN) A submicron MOSFET is fabricated on an ultrathin layer (16) with a generally intrinsic channel (14) having a dopant concentration less than about 1016cm-3. The channel (14) thickness is preferably not greater than about 0.2 micron; the ratio of channel thickness to length is less than about 1:4, and preferably not greater than about 1:2. Punchthrough and other short-channel effects are inhibited by the application of an appropriate backgate voltage, which may also be varied to adjust the voltage threshold.
(FR) Le transistor à effet de champ MOS décrit, de grandeur inférieure au micron, est fabriqué sur une couche ultrafine (16) avec un canal généralement intrinsèque (14) ayant une concentration de dopant inférieure à environ 1016cm-3. L'épaisseur du canal (14) est de préférence inférieure ou égale à environ 0,2 micron. Le rapport entre l'épaisseur et la longueur du canal est inférieur à environ 1/4 et de préférence inférieur ou égal à environ 1/2. Les effets de tension de perçage et les effets produits par la longueur réduite du canal sont évités grâce à l'application d'une tension de gâchette arrière appropriée, qu'on peut également faire varier pour régler le seuil de tension.
États désignés : JP
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP0401356