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1. (WO1989012912) DISPOSITIF DE CONVERSION D'EFFORT ET PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1989/012912    N° de la demande internationale :    PCT/JP1989/000600
Date de publication : 28.12.1989 Date de dépôt international : 15.06.1989
CIB :
G01L 9/00 (2006.01), H01L 21/223 (2006.01), H01L 21/225 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01), H01L 29/84 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA KOMATSU SEISAKUSHO [JP/JP]; 3-6, Akasaka 2-chome, Minato-ku, Tokyo 107 (JP) (Tous Sauf US).
HATA, Yasuhiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
INAGAKI, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUZUNO, Yukie [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HATA, Yasuhiko; (JP).
INAGAKI, Hiroshi; (JP).
SUZUNO, Yukie; (JP)
Mandataire : KIMURA, Takahisa; 6F Ginza Daisaku Building, 11-2, Ginza 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 104 (JP)
Données relatives à la priorité :
63/147102 15.06.1988 JP
Titre (EN) STRESS CONVERSION DEVICE AND ITS PRODUCTION METHOD
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION D'EFFORT ET PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(EN)In the stress conversion device of the present invention, a strain gauge pattern is composed of an impurity region formed by selectively applying laser to the surface of a semiconductor substrate forming at least part of a strain generation portion. In a production method of a stress conversion device of the present invention, a strain gauge is formed by the steps of introducing an impurity into the surface of a semiconductor substrate constituting at least part of a strain generation portion, applying laser to the semiconductor substrate into which the impurity has been introduced and forming a strain gauge consisting of the impurity region pattern.
(FR)Dispositif de conversion d'effort dans lequel une configuration de jauge de contraintes se compose d'une région d'impuretés formée par l'application sélective d'un faisceau laser sur la surface d'un substrat semi-conducteur formant au moins partiellement une partie de génération d'effort. Dans le procédé de production du dispositif de conversion d'effort ci-décrit, une jauge de contrainte est formée par les étapes consistant à introduire une impureté dans la surface d'un substrat semi-conducteur constituant au moins partiellement une partie de génération d'effort, à appliquer le faisceau laser sur le substrat semi-conducteur dans lequel l'impureté a été introduite et à former une jauge de contrainte consistant dans la configuration de la région d'impureté.
États désignés : KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)