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1. (WO1989012361) DISPOSITIF MOS A EFFET DE CHAMP AVEC DETECTEUR DE COURANT A CARACTERISTIQUE BI-DIRECTIONNELLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1989/012361    N° de la demande internationale :    PCT/US1989/002371
Date de publication : 14.12.1989 Date de dépôt international : 01.06.1989
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.03.1990    
CIB :
H03K 17/081 (2006.01), H03K 17/567 (2006.01), H03K 17/687 (2006.01)
Déposants : IXYS CORPORATION [US/US]; 2355 Zanker Road, San Jose, CA 95131 (US)
Inventeurs : ZOMMER, Nathan; (US)
Mandataire : SLONE, David, N.; Townsend and Townsend, One Market Plaza, 2000 Steuart Tower, San Francisco, CA 94105 (US)
Données relatives à la priorité :
204,042 08.06.1988 US
359,781 31.05.1989 US
Titre (EN) MOSFET DEVICE WITH CURRENT MIRROR HAVING BI-DIRECTIONAL CAPABILITY
(FR) DISPOSITIF MOS A EFFET DE CHAMP AVEC DETECTEUR DE COURANT A CARACTERISTIQUE BI-DIRECTIONNELLE
Abrégé : front page image
(EN)A technique for providing dual direction current sensing with a single current mirror (T¿M?) configured to provide the same current ratio in both directions for at least one predetermined temperature. The invention contemplates any of a number of techniques for providing relatively increased diode conduction in the mirror (T¿M?) in order to provide the same current ratio as when channel conduction is the sole mechanism. These include increasing the doping of the cell body, increasing the diode area per cell relative to the amount of MOS channel area, providing extra diode cells in the mirror, or locating the current mirror in the hottest part of the chip where diode conduction is greatest.
(FR)La technique décrite assure une détection de courant bi-directionnelle au moyen d'un seul détecteur de courant (T¿M?) dont la configuration est conçue pour fournir le même rapport de courant dans les deux directions pour au moins une température prédéterminée. La présente invention utilise des techniques qui permettent d'assurer une augmentation relative de la conduction par diode dans le détecteur (T¿M?) pour fournir le même rapport de courant que lorsque la conduction par canal est le seul mécanisme utilisé. Ces techniques consistent à augmenter le dopage du corps de cellules, à accroître la superficie de la diode par cellules par rapport à l'extension de la superficie du canal MOS, à disposer des cellules de diode supplémentaires dans le détecteur ou à placer le détecteur de courant dans la partie la plus chaude de la puce là où la conduction par diode est la plus grande.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)