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1. (WO1989012303) DISPOSITIF A MEMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1989/012303    N° de la demande internationale :    PCT/GB1989/000651
Date de publication : 14.12.1989 Date de dépôt international : 12.06.1989
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.01.1990    
CIB :
G11C 11/406 (2006.01), G11C 11/4074 (2006.01)
Déposants : CAMBRIDGE COMPUTER LIMITED [GB/GB]; Bridge House, 10 Bridge Street, Cambridge CB2 1UE (GB) (Tous Sauf US).
SINCLAIR, Clive, Miles [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
WESTWOOD, James [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
WRIGHT, David [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : SINCLAIR, Clive, Miles; (GB).
WESTWOOD, James; (GB).
WRIGHT, David; (GB)
Mandataire : PEARS, David, Ashley; Reddie & Grose, 16 Theobalds Road, London WC1X 8PL (GB)
Données relatives à la priorité :
8813795.5 10.06.1988 GB
Titre (EN) MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF A MEMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)A dynamic RAM memory device with DRAM (10) comprises a control unit (22) detecting when memory accesses are required for read, write or refresh. This unit (22) controls a voltage control circuit (26) which provides operating voltage (e.g. +5v) to the DRAM (10) but switches the voltage to a low level (e.g. 0.5v) in intervals between accesses. The low level is such that the current taken by the DRAM (10) is substantially zero.
(FR)Un dispositif à mémoire RAM dynamique avec DRAM (mémoire RAM dynamique) (10) comprend une unité de contrôle (22) détectant à quel moment des accès à la mémoire sont nécessaires pour la lecture, l'écriture ou la régénération. Cette unité (22) commande un circuit (26) de commande de tension fournissant une tension de régime (par exemple +5v) à la DRAM (10), mais commute la tension sur un niveau bas (par exemple 0,5v) dans les intervalles entre les accès. Le niveau bas est tel que le courant pris par le DRAM (10) est sensiblement nul.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)