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1. (WO1989012301) MEMOIRE OPTIQUE BI-STABLE UTILISANT DU PLZT A PHASE ANTIFERROELECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1989/012301    N° de la demande internationale :    PCT/US1989/002383
Date de publication : 14.12.1989 Date de dépôt international : 31.05.1989
CIB :
G11C 11/22 (2006.01), G11C 7/00 (2006.01)
Déposants : SANDIA CORPORATION [US/US]; Sandia National Laboratories, Org 4050, Albuquerque, NM 87185-5800 (US)
Inventeurs : LAND, Cecil, Elvin; (US)
Mandataire : OLSEN, Kurt, C. @; Sandia National Laboratories, Org 4050, Albuquerque, NM 87185-5800 (US)
Données relatives à la priorité :
200,104 31.05.1988 US
Titre (EN) BISTABLE OPTICAL STORAGE USING ANTIFERROELECTRIC-PHASE PLZT
(FR) MEMOIRE OPTIQUE BI-STABLE UTILISANT DU PLZT A PHASE ANTIFERROELECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method and an optical device for bistable storage of optical information utilize a photoactivated shift in a field dependent phase transition between a metastable or a bias-stabilized ferroelectric (FE) phase and a stable antiferroelectric (AFE) phase in a lead lanthanum zirconate titanate (PLZT). The optical device comprises an antiferroelectric (AFE) lead lanthanum zirconate titanate (PLZT) layer having binary information stored therein, the layer having stable AFE phase regions and stable ferroelectric (FE) phase regions. The AFE regions are obtained by applying an electrical field across a portion of a surface of the PLZT layer, so that the portion of the layer shifts to the FE phase, and illuminating parts of the portion and causing the illuminated parts to shift back to the AFE phase. The PLZT layer utilized in the invention has the formula Pb¿1-x?La¿x?(Zr¿y?Ti¿z?)¿1-x/4?O¿3?.
(FR)Le procédé et le dispositif optique décrits, qui servent au stockage bi-stable d'informations optiques, exploitent un passage photo-activé dans une transition de phases à dépendance de champ entre une phase métastable ou ferroélectrique (FE) à polarisation stabilisée et une phase anti-ferroélectrique (AFE) stable dans un titanate de zirconate de lanthane de plomb (PLZT). Le dispositif optique comprend une couche de titanate de zirconate de lanthane de plomb (PLZT) anti-ferroélectrique (AFE), dans laquelle sont stockées des informations binaires et qui comporte des régions à phase AFE stable et des régions à phase ferro-électrique (FE) stable. Les régions AFE sont obtenues par application d'un champ électrique à travers une portion d'une surface de la couche de PLZT, de sorte que la portion de la couche passe à la phase FE et éclaire des parties de la portion, les parties éclairées repassant ensuite à la phase AFE. La couche de PLZT utilisée dans la présente invention est représentée par la formule Pb¿1-x?La¿x?(Zr¿y?Ti¿z?)¿1-x/4?O¿3?.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)