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1. (WO1989011905) CONDITIONNEMENT DE GAZ D'ECHAPPEMENT SECS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1989/011905    N° de la demande internationale :    PCT/GB1989/000600
Date de publication : 14.12.1989 Date de dépôt international : 31.05.1989
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.01.1990    
CIB :
B01D 53/46 (2006.01), B01D 53/68 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01)
Déposants : PLASMA PRODUCTS LTD. [GB/GB]; P.O. Box 1020, Nailsea, Bristol BS19 1JW (GB) (Tous Sauf US).
SMITH, James, Robert [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
TIMMS, Peter, Leslie [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : SMITH, James, Robert; (GB).
TIMMS, Peter, Leslie; (GB)
Mandataire : DUNLOP, Brian, Kenneth, Charles @; Wynne-Jones, Laine & James, 22 Rodney Road, Cheltenham, Gloucestershire GL50 1JJ (GB)
Données relatives à la priorité :
8813270.9 04.06.1988 GB
Titre (EN) DRY EXHAUST GAS CONDITIONING
(FR) CONDITIONNEMENT DE GAZ D'ECHAPPEMENT SECS
Abrégé : front page image
(EN)This invention relates to gas treatment apparatus and methods and particularly, but not exclusively, to such apparatus and methods for use with exhaust products form semi-conductor manufacturing process. A reactor column (10) has an inlet (11) at the bottom and an outlet (12). Between the inlet and outlet it is divided into three sequential stages containing: silicon or silicon containing materials; lime or soda lime and copper oxide or copper oxide reagents.
(FR)Cette invention concerne un appareil et des procédés de traitement des gaz et notamment, mais pas uniquement, un appareil et des procédés utilisés avec des produits d'échappement provenant d'un processus de fabrication de semi-conducteurs. Une colonne de réacteur (10) comprend une admission (11) agencée en sa partie inférieure ainsi qu'une sortie (12). Entre l'admission et la sortie, la colonne est divisée en trois étages séquentiels contenant: du silicium ou des matières contenant du silicium, de la chaux vive ou de la soude vive ainsi que de l'oxyde de cuivre ou des réactifs d'oxyde de cuivre.
États désignés : JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)