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1. (WO1989009991) SYSTEM DE MEMORISATION DE DONNEES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1989/009991    N° de la demande internationale :    PCT/EP1989/000253
Date de publication : 19.10.1989 Date de dépôt international : 10.03.1989
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.10.1989    
CIB :
G11B 11/105 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-8000 München 2 (DE) (Tous Sauf US).
VAN DEN BERG, Hugo [NL/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : VAN DEN BERG, Hugo; (DE)
Mandataire : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, D-8000 München 22 (DE)
Données relatives à la priorité :
P 38 11 375.9 05.04.1988 DE
Titre (EN) DATA STORAGE SYSTEM
(FR) SYSTEM DE MEMORISATION DE DONNEES
Abrégé : front page image
(EN)A data storage system where the information can be directly thermally overwritten has a multilayer structure comprising a storage layer (2), an insulating layer (4) and a guiding layer (6) and having a corresponding magnetic basic field source (11). An additional magnetic control panel source (12 to 14) is provided and the global field distribution induced from the control panel source (12) and the guiding layer (6) into the storage layer (2) can be modified through the temperature of the guiding layer (6). This provides a simple and effective storage system with the possibility of directly overwriting the information.
(FR)Un système de mémorisation de données contenant des informations pouvant être directement recouvertes par voie thermique par une autre écriture comprend une structure multi-couches reliée à une source (11) d'un champ magnétique de base et composée d'une couche de mémorisation (2), d'une couche d'isolation (4) et d'une couche de commande (6). Une source supplémentaire (12 à 14) d'un champ magnétique de commutation est également prévue. La distribution de l'ensemble des champs magnétiques induite dans la couche de mémorisation par la source (12) du champ de commutation et par la couche de commande (6) peut être modifiée en fonction de la température de la couche de commande (6). On obtient ainsi un système simple et efficace de mémorisation offrant des possibilités de recouvrement direct de l'information.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)