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1. (WO1989009489) PROCEDE DE GRAVURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1989/009489    N° de la demande internationale :    PCT/GB1989/000213
Date de publication : 05.10.1989 Date de dépôt international : 01.03.1989
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.11.1989    
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/308 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Déposants : BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY [GB/GB]; 81 Newgate Street, London EC1A 7AJ (GB)
Inventeurs : DUROSE, Kenneth; (GB)
Mandataire : LENG, Francis, Edward; British Telecommunications Public Limited Company, Intellectual Property Unit, 151 Gower Street, London WC1E 6BA (GB)
Données relatives à la priorité :
8806800 22.03.1988 GB
Titre (EN) ETCHING METHOD
(FR) PROCEDE DE GRAVURE
Abrégé : front page image
(EN)MOVPE growth and photoetching are integrated into a unified sequence which is carried out without removing a workpiece from a MOVPE reactor. Growth may be carried out before, after or before and after the etching. To prevent pattern broadening by diffusion of the active species the substrate is preferably protected by a fugitive coating which is removed by the illumination. Native oxide coatings are particularly suitable for InGaAsP substrates. These are conveniently applied by exposing the substrate to 20 % O¿2? + 80 % N¿2? for about 3 minutes at 450°C.
(FR)Les étapes de croissance MOVPE et de photogravure sont intégrées dans une séquence d'opérations unifiées qui sont effectuées sans qu'il soit nécessaire de retirer la pièce à usiner d'un réacteur MOVPE. L'opération de croissance peut être effectuée avant, après ou avant et après la gravure. Pour empêcher tout élargissement des motifs par diffusion des espèces actives, on protège de préférence le substrat par un enduit fugitif qui est retiré par exposition au rayonnement lumineux. Des enduits d'oxyde natif sont particulièrement appropriés pour des substrats d'InGaAsP et sont de préférence appliqués par exposition des substrats à 20 % d'O¿2? et 80 % de N¿2? pendant environ 3 minutes à une température de 450°C.
États désignés : AU, JP, KR.
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)