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1. (WO1989008949) DISPOSITIF A ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1989/008949    N° de la demande internationale :    PCT/JP1989/000283
Date de publication : 21.09.1989 Date de dépôt international : 16.03.1989
CIB :
H03H 9/02 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1015, Kamikodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 211 (JP) (Tous Sauf US).
YAMAMOTO, Shinichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMAMOTO, Shinichi; (JP)
Mandataire : IGETA, Sadakazu; Fujitsu Limited, 1015, Kamikodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 211 (JP)
Données relatives à la priorité :
63/61789 17.03.1988 JP
63/216391 01.09.1988 JP
63/228528 14.09.1988 JP
Titre (EN) SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF A ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE
Abrégé : front page image
(EN)An IDT electrode (4) is formed on a double-layer structure comprising a diamond crystal layer (2) and a thin AlN film (3) and a third-order Rayleigh or Sezawa wave is caused to propagate along the surface of the double-layer. Alternatively a third-order Rayleigh wave is caused to propagate along the surface of a triple-layer structure comprising a diamond crystal layer (2), a thin AlN film (3) and an SiO¿2? film provided therebetween. With the aforementioned structure, a SAW device exhibiting a high electromechanical coupling factor and a high phase velocity is available. The SAW device for allowing a third-order Rayleigh wave to propagate along the surface thereof is fit for use as a narrow-band timing extraction filter or a band-pass filter, for use in a microwave region of several to 20 GHz whereas the SAW device for allowing the Sezawa wave to propagate therealong is fit for use as a wide-band voltage control oscillator or a wide-band-pass filter for use in wide range of frequencies covering VHF to UHF bands.
(FR)On forme une électrode IDT (4) sur une structure à double couche comprenant une couche cristalline en diamant (2) et un mince film d'AlN (3) et on laisse se propager une onde de Sezawa ou de Raleigh de troisième ordre le long de la surface de la double couche. Dans une variante, on laisse se propager une onde de Raleigh de troisième ordre le long de la surface d'une structure à triple couche comprenant une couche cristalline en diamant (2), un mince film d'AlN (3), et un film de SiO¿2? intercalé entre les deux autres éléments. Cette structure permet de réaliser un dispositif à ondes acoustiques de surface présentant un facteur élevé de couplage électromagnétique et une grande vitesse de phase. Le dispositif à ondes acoustiques de surface permettant la propagation d'une onde de Raleigh de troisième ordre le long de sa surface peut être utilisé comme filtre extracteur de synchronisation à bande étroite ou comme filtre passe-bande, dans une région de micro-ondes comprise entre quelques GHz et 20 GHz. Le dispositif à ondes acoustiques de surface permettant la propagation d'une onde de Sezawa le long de sa surface peut être utilisé comme oscillateur de commande de tension à large bande ou comme filtre passe-bande à large bande, dans une vaste plage de fréquences couvrant les bandes VHF et UHF.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)