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1. (WO1989008334) JONCTIONS A EFFET TUNNEL SUPRACONDUCTRICES SUR TRANCHE ENTIERE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1989/008334    N° de la demande internationale :    PCT/GB1989/000193
Date de publication : 08.09.1989 Date de dépôt international : 24.02.1989
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.11.1989    
CIB :
H01L 39/24 (2006.01)
Déposants : CAMBRIDGE ADVANCED MATERIALS LIMITED [GB/GB]; 183 Coleridge Road, Cambridge (GB) (Tous Sauf US).
BLAMIRE, Mark, Giffard [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : BLAMIRE, Mark, Giffard; (GB)
Mandataire : NASH, Keith, Wilfrid; Keith W Nash & Co, Pearl Assurance House, 90-92 Regent Street, Cambridge CB2 1DP (GB)
Données relatives à la priorité :
8804668 27.02.1988 GB
Titre (EN) WHOLE-WAFER SUPERCONDUCTING TUNNEL JUNCTIONS
(FR) JONCTIONS A EFFET TUNNEL SUPRACONDUCTRICES SUR TRANCHE ENTIERE
Abrégé : front page image
(EN)A method of fabricating a superconducting tunnel junction in which a single resist mark simultaneously defines the area of the counterelectrode and the junction itself, which is achieved by locating the junction at least one edge of a base electrode which has previously been insulated. Further patterning of the completed device is envisaged so as to reduce the area of the junction. The superconducting layers may be formed from niobium or niobium nitrate and the barrier layer from aluminium or tantalum. The etching may be performed by means of a chloride plasma capable of etching both the superconductor material and the barrier material.
(FR)Un procédé de fabrication de jonction à effet tunnel supraconductrice dans lequel une seule marque de réserve définit simultanément la région de la contre-électrode et la jonction elle-même, ce à quoi l'on parvient en plaçant la jonction sur au moins un bord d'une électrode de base préalabalement isolée. On a envisagé de configurer davantage le dispositif terminé de manière à réduire la région de la jonction. On peut former les couches supraconductrices à partir de niobium ou de nitrate de niobium, et la couche de barrière à partir d'aluminium ou de tantale. On peut procéder à la gravure au moyen d'un plasma de chlorure capable de graver à la fois le matériau supraconducteur et le matériau de barrière.
États désignés : GB, JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)