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1. (WO1989008086) ELEMENT FRITTE EN CARBURE DE SILICIUM DE TYPE $g(b) DE GRANDE RESISTANCE ET PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1989/008086    N° de la demande internationale :    PCT/JP1988/000216
Date de publication : 08.09.1989 Date de dépôt international : 26.02.1988
CIB :
C04B 35/565 (2006.01)
Déposants : IBIDEN CO., LTD. [JP/JP]; 1, Kanda-cho 2-chome, Ohgaki-shi, Gifu 503 (JP) (Tous Sauf US).
YAMAUCHI, Hidetoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HASEGAWA, Haruhisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIRAMATSU, Yasuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMAUCHI, Hidetoshi; (JP).
HASEGAWA, Haruhisa; (JP).
HIRAMATSU, Yasuji; (JP)
Mandataire : SUGIMURA, Akihide @; Kazan Building, 2-4, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) HIGH-STRENGTH, $g(b)-TYPE SILICON CARBIDE SINTER AND PROCESS FOR ITS PRODUCTION
(FR) ELEMENT FRITTE EN CARBURE DE SILICIUM DE TYPE $g(b) DE GRANDE RESISTANCE ET PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(EN)$g(b)-Type silicon carbide sinter with a high density and a high strength is produced by controlling the compounding proportion of a sintering aid while minimizing contamination of starting powder with $g(a)-SiC and modifying the sintering step to thereby form uniform and fine crystal grains.
(FR)On produit un élément fritté en carbure de silicium de type $g(b), présentant une grande densité et une grande résistance, en dosant les proportions de mélange d'un adjuvant de frittage tout en réduisant au minimum la contamination d'une poudre de départ par l'$g(a)-SiC et en modifiant l'étape de frittage pour former des grains cristallins fins et uniformes.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)