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1. (WO1989007833) COUCHE SEMI-ISOLANTE SERVANT A LA FABRICATION DE DISPOSITIFS PHOTOCONDUCTEURS ULTRA RAPIDES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1989/007833    N° de la demande internationale :    PCT/US1989/000666
Date de publication : 24.08.1989 Date de dépôt international : 17.02.1989
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.10.1989    
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/335 (2006.01), H01L 21/337 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/51 (2006.01), H01L 31/09 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA 02139 (US)
Inventeurs : CALAWA, Arthur, R.; (US).
SMITH, Frank, W.; (US).
MANFRA, Michael, J.; (US).
CHEN, Chang-Lee; (US).
HOLLIS, Mark, A.; (US).
DIADIUK, Vicky; (US).
LE, Han, O.; (US)
Mandataire : REYNOLDS, Leo, R. @; Hamilton, Brook, Smith & Reynolds, Two Militia Drive, Lexington, MA 02173 (US)
Données relatives à la priorité :
157,806 19.02.1988 US
Titre (EN) SEMI-INSULATING LAYER AND ULTRA-HIGH-SPEED PHOTOCONDUCTIVE DEVICES MADE THEREFROM
(FR) COUCHE SEMI-ISOLANTE SERVANT A LA FABRICATION DE DISPOSITIFS PHOTOCONDUCTEURS ULTRA RAPIDES
Abrégé : front page image
(EN)A new III-V buffer material is described which is produced by low temperature growth of III-V compounds by MBE that has unique and desirable properties, particularly for closely spaced, submicron gate length active III-V semiconductor devices, such as HEMT's, MESFET's and MISFET's and also for ultra-high-speed photoconductor swicthing devices. In the case of the III-V material, GaAs, the buffer is grown under arsenic stable growth conditions, at a growth rate of 1 micron/hour, and at a substrate temperature preferably in the range of 150 to about 300°C. The new material is crystalline, highly resistive, substantially optically inactive, and can be overgrown with high quality III-V active layers.
(FR)On a mis au point un matériau de tampon III-V produit par croissance à basse température de composés III-V par MBE (épitaxie par faisceau molécualire) ayant des propriétés uniques et désirables, notamment pour des dispositifs à semi-conducteurs III-V actifs de longueur de porte de l'ordre du sous-micron, serrés, tels que des HEMT, MESFET, MISFET et aussi pour des dispositifs de communication photoconducteurs ultra-rapides. Dans le cas du matériau III-V, l'arséniure de gallium, on fait croître le tampon dans des conditions de croissance stable d'arsenic, à une vitesse de croissance de 1 micron/heure, et à une température de substrat comprise de préférence entre 150° et environ 300°C. Le nouveau matériau est cristallin, hautement résistif, optiquement sensiblement inactif, et peut subir une surcroissance au moyen de couches actives III-V de haute qualité.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)