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1. WO1989005515 - SYSTEME DE STRICTION AU PLASMA ET SON MODE D'UTILISATION

Numéro de publication WO/1989/005515
Date de publication 15.06.1989
N° de la demande internationale PCT/US1988/004294
Date du dépôt international 02.12.1988
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 11.08.1989
CIB
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
H01J 61/72 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
61Lampes à décharge dans un gaz ou dans une vapeur
70Lampes à décharge libre sous faible pression
72à atmosphère principale émettrice de lumière constituée par une vapeur de métal aisément vaporisable, p.ex. vapeur de mercure
H05H 1/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
HTECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
02Dispositions pour confiner le plasma au moyen de champs électriques ou magnétiques; Dispositions pour chauffer le plasma
04utilisant des champs magnétiques essentiellement engendrés par la décharge dans le plasma
H05H 1/52 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
HTECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24Production du plasma
52utilisant des fils explosifs ou des éclateurs
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
G03F 7/70016
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70008Production of exposure light, i.e. light sources
70016by discharge lamps
H01J 61/72
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
61Gas- or vapour-discharge lamps
70Lamps with low-pressure unconstricted discharge ; having a cold pressure < 400 Torr
72having a main light-emitting filling of easily vaporisable metal vapour, e.g. mercury
H05H 1/04
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
HPLASMA TECHNIQUE
1Generating plasma; Handling plasma
02Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma
04using magnetic fields substantially generated by the discharge in the plasma
H05H 1/52
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
HPLASMA TECHNIQUE
1Generating plasma; Handling plasma
24Generating plasma
52using exploding wires or spark gaps
Y10S 148/045
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
148Metal treatment
045Electric field
Déposants
  • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US]/[US]
Inventeurs
  • ASMUS, John, F.
  • LOVBERG, Ralph, H.
  • BOYER, Keith
Mandataires
  • KLEINKE, Bernard, L.
Données relatives à la priorité
129,15207.12.1987US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PLASMA PINCH SYSTEM AND METHOD OF USING SAME
(FR) SYSTEME DE STRICTION AU PLASMA ET SON MODE D'UTILISATION
Abrégé
(EN)
A plasma pinch system (10) includes a fluid-jet pinch device (12) for establishing a plasma source composed of a tenuous vapor preconditioning cloud (23) surrounding a central narrow flowing fine stream of fluid (14) under pressure. A discharge device (25) is connected electrically to the fluid-jet pinch device (12) for supplying an electrical flow through a portion of the fluid stream for establishing an incoherent light emitting plasma (23) therealong. A method for using the plasma pinch system (10) for manufacturing semiconductors, includes exposing a semiconductor wafer (W) to the incoherent light (L) emitted by the plasma (23) for either annealing or etching purposes.
(FR)
Système de striction au plasma (10) comprenant un appareil à striction à jet de fluide (12) établissant une source de plasma composée d'un nuage de préconditionnement de vapeur ténu (23), entourant un courant fin de fluide sous pression à écoulement central étroit. Un dispositif de décharge (25) est connecté électriquement à l'appareil à striction à jet de fluide (12), afin de fournir un écoulement électrique à travers une partie du courant de fluide, en vue d'établir le long de celui-ci un plasma (23) d'émission de lumière incohérente. Un procédé d'utilisation du système de striction au plasma (10) permettant la fabrication de semiconducteurs, consiste à exposer une tranche de semiconducteur (W) à la lumière incohérente (L) émise par le plasma (23) à des fins soit de recuit soit de gravure.
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