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1. (WO1989004550) PROCEDE DE RECRISTALLISATION PAR FUSION DE ZONE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1989/004550    N° de la demande internationale :    PCT/US1988/004028
Date de publication : 18.05.1989 Date de dépôt international : 10.11.1988
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.07.1989    
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : KOPIN CORPORATION [US/US]; 695 Myles Standish Boulevard, Taunton, MA 02780 (US) (Tous Sauf US).
FAN, John, C., C. [US/US]; (US) (US Seulement).
ZAVRACKY, Paul, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
NARAYAN, Jagdish [US/US]; (US) (US Seulement).
ALLEN, Lisa, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
VU, Duy-Phach [FR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FAN, John, C., C.; (US).
ZAVRACKY, Paul, M.; (US).
NARAYAN, Jagdish; (US).
ALLEN, Lisa, P.; (US).
VU, Duy-Phach; (US)
Mandataire : REYNOLDS, Leo, R. @; Hamilton, Brook, Smith & Reynolds, Two Militia Drive, Lexington, MA 02173 (US)
Données relatives à la priorité :
120,016 13.11.1987 US
Titre (EN) ZONE-MELTING RECRYSTALLIZATION PROCESS
(FR) PROCEDE DE RECRISTALLISATION PAR FUSION DE ZONE
Abrégé : front page image
(EN)An improved method of zone-melting and recrystallizing of polysilicon film on an insulator over silicon is described.
(FR)Est décrit un procédé de fusion de zone et de recristallisation d'une couche mince de polysilicium sur un isolant, sur du silicium.
États désignés : AU, JP, KR, SU.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)