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1. (WO1989004062) PROCEDE DE FABRICATION DE CELLULES SOLAIRES ET CELLULE SOLAIRE AINSI FABRIQUEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1989/004062    N° de la demande internationale :    PCT/US1988/003871
Date de publication : 05.05.1989 Date de dépôt international : 28.10.1988
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.06.1989    
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01)
Déposants : GLASSTECH SOLAR, INC. [US/US]; 12441 West 49th Avenue, Wheat Ridge, CO 80033 (US)
Inventeurs : JIANPING, Xi; (US).
MADAN, Arun; (US)
Mandataire : LAFONTAINE, Earl, J.; Brooks & Kushman, 2000 Town Center, Suite 2000, Southfield, MI 48075 (US)
Données relatives à la priorité :
114,694 29.10.1987 US
Titre (EN) SOLAR CELL FABRICATION METHOD AND SOLAR CELL MADE THEREBY
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE CELLULES SOLAIRES ET CELLULE SOLAIRE AINSI FABRIQUEE
Abrégé : front page image
(EN)A solar cell fabrication method and solar cell (10) made by the method wherein a grid of point electrical connections (22) is made to a transparent first electrode layer (14) of the cell through a layer of a-Si semiconductor material (16) which is sandwiched between the first electrode layer and a second back electrode layer (18). A dielectric layer (20) electrically insulates the back electrode layer and the grid of point electrical connections. An electrically conducting network (32) is deposited on the dielectric layer and electrically interconnects the grid of point electrical connections. The resulting cell has a relatively low active area loss and a relatively low electrical power loss due to the electrical connections in the cell.
(FR)Procédé de fabrication de cellules solaires et cellule solaire (10) fabriquée selon le procédé, dans lequel un réseau de connexions électriques par points (22) est réalisé sur une première couche transparente d'électrode (14) de la cellule, par l'intermédiaire d'une couche de matériau semiconducteur a-Si (16) prise en sandwich entre la première couche d'électrode et une contre couche d'électrode (18). Une couche diélectrique (20) isole électriquement la contre couche d'électrode et le réseau de connexions électriques par points. Un réseau électroconducteur (32) est déposé sur la couche diélectrique et interconnecte le réseau de connexions électriques par points. La cellule ainsi obtenue a une perte de surface active relativement faible ainsi qu'une perte de courant électrique assez faible du fait des connexions électriques dans la cellule.
États désignés : AU, BR, DK, FI, JP, KR, NO.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)