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1. (WO1989004057) CONTACT INTERMETALLIQUE EPITAXIAL POUR SEMICONDUCTEURS COMPOSES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1989/004057    N° de la demande internationale :    PCT/US1988/003663
Date de publication : 05.05.1989 Date de dépôt international : 18.10.1988
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.09.1989    
CIB :
H01L 21/285 (2006.01)
Déposants : BELL COMMUNICATIONS RESEARCH, INC. [US/US]; 290 West Mount Pleasant Avenue, Livingston, NJ 07039-2729 (US)
Inventeurs : SANDS, Timothy, David; (US)
Mandataire : WINTER, Richard, C. @; M.N. Meller and Associates, P.O. Box 2198, Grand Central Station, New York, NY 10163 (US).
MELLER, Michael, N.; P.O. Box 2198, Grand Central Station, New York, NY 10163 (US)
Données relatives à la priorité :
110,332 20.10.1987 US
Titre (EN) EPITAXIAL INTERMETALLIC CONTACT FOR COMPOUND SEMICONDUCTORS
(FR) CONTACT INTERMETALLIQUE EPITAXIAL POUR SEMICONDUCTEURS COMPOSES
Abrégé : front page image
(EN)A class of intermetallic compound contact materials for III-V semiconductors is obtained by depositing successively and concurrently a thin film of a transition metal and a Group III metal upon the semiconductor and annealing the resultant structure, so resulting in the formation of a monocrystalline intermetallic contact. The contacts are stable at temperatures ranging from 600-900°C and may be fabricated by conventional vacuum deposition.
(FR)Une classe de matériaux de contact composés intermétalliques pour des semiconducteurs III-V est obtenue en déposant successivement et concurremment un film mince d'un métal de transition et un métal du groupe III sur le semiconducteur et en effectuant un recuit de la structure résultante pour former un contact intermétallique monocristallin. Les contacts sont stables à des températures de l'ordre de 600 à 900°C et peuvent être fabriqués par des techniques classiques de dépôt sous vide.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)