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1. (WO1989004055) CROISSANCE DE MONOCRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM PAR SUBLIMATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1989/004055    N° de la demande internationale :    PCT/US1988/003794
Date de publication : 05.05.1989 Date de dépôt international : 26.10.1988
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.06.1989    
CIB :
C30B 29/36 (2006.01), C30B 23/00 (2006.01), H01L 21/203 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY [US/US]; Campus Box 7003, Raleigh, NC 27695-7003 (US)
Inventeurs : DAVIS, Robert, F.; (US).
CARTER, Calvin, H. Jr.; (US).
HUNTER, Charles, Eric; (US)
Mandataire : FAUST, Richard, S. @; Bell, Seltzer, Park & Gibson, P.O. Drawer 34009, Charlotte, NC 28234 (US)
Données relatives à la priorité :
113,565 26.10.1987 US
Titre (EN) SUBLIMATION GROWTH OF SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTALS
(FR) CROISSANCE DE MONOCRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM PAR SUBLIMATION
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is a method of forming large device quality single crystals of silicon carbide (33). The sublimation process is enhanced by maintaining a constant polytype composition in the source materials (40), selected size distribution in the source materials (40), by specific preparation of the growth surface of seed crystals (32), and by controlling the thermal gradient between the source materials (40) and the seed crystal (32).
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé servant à former de grands monocristaux de carbure de silicium (33) de qualité appropriée pour la production de dispositifs électriques. Le procédé de sublimation décrit est amélioré grâce au maintien d'une composition polytype constante dans les matériaux sources (40), grâce à une distribution granulométrique sélectionnée dans les matériaux sources (40), grâce à une préparation spécifique de la surface de croissance des germes cristallins (32) et grâce à une régulation du gradient thermique entre les matériaux sources (40) et le germe cristallin (32).
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)