WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1988004849) DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS UTILISANT UNE COUCHE EPITAXIALE DU GROUPE III-V A DOPAGE TI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1988/004849    N° de la demande internationale :    PCT/US1987/003271
Date de publication : 30.06.1988 Date de dépôt international : 09.12.1987
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/223 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01), H01S 5/00 (2006.01), H01S 5/227 (2006.01), H01S 5/24 (2006.01), H01S 5/30 (2006.01), H01S 5/223 (2006.01)
Déposants : AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY [US/US]; 550 Madison Avenue, New York, NY 10022 (US)
Inventeurs : DENTAI, Andrew, Gomperz; (US).
JOYNER, Charles, Howard, Jr.; (US)
Mandataire : HIRSCH, A., E., Jr. @; Post Office Box 679, Holmdel, NJ 07733 (US)
Données relatives à la priorité :
942,453 16.12.1986 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICES EMPLOYING TI-DOPED GROUP III-V EPITAXIAL LAYER
(FR) DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS UTILISANT UNE COUCHE EPITAXIALE DU GROUPE III-V A DOPAGE TI
Abrégé : front page image
(EN)High resistivity Ti-doped Group III-V-based MOCVD layers (20) are used to constrain current to flow through the active region (12) of a variety of device such as CSBH (10) and DCPBH lasers.
(FR)Des couches (20) MOCVD basées sur le groupe III-V à dopage Ti de hauteresistivité sont utilisées pour forcer le courant à s'écouler au travers de la région active (12) d'une variété de dispositifs tels que des lasers CSBH (10) et DCPBH.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)