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1. WO1988004831 - FICHE CONDUCTRICE POUR CONTACTS ET INTERCONNEXIONS DANS DES CIRCUITS INTEGRES

Numéro de publication WO/1988/004831
Date de publication 30.06.1988
N° de la demande internationale PCT/US1987/002767
Date du dépôt international 23.10.1987
CIB
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
CPC
H01L 21/76879
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
76877Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
76879by selective deposition of conductive material in the vias, e.g. selective C.V.D. on semiconductor material, plating
Déposants
  • HUGHES AIRCRAFT COMPANY [US]/[US]
Inventeurs
  • FARB, Joseph, E.
  • CHIN, Maw, Rong
Mandataires
  • FLOAT, Kenneth, W. @
Données relatives à la priorité
944,64119.12.1986US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) CONDUCTIVE PLUG FOR CONTACTS AND VIAS ON INTEGRATED CIRCUITS
(FR) FICHE CONDUCTRICE POUR CONTACTS ET INTERCONNEXIONS DANS DES CIRCUITS INTEGRES
Abrégé
(EN)
A process for filling contact or via openings in an integrated circuit with electrically conductive plugs. The process includes the steps of (a) forming one or more openings in a planarized oxide layer, where the one or more openings is disposed over and exposes semi-insulating or conductive regions, and (b) filling the one or more openings with conductive material to substantially the same level as the adjacent surfaces of the oxide layer to form respective planarized conductive plugs. A further aspect of the invention is directed to a process which includes the steps of (a) forming first one or more openings of a first predetermined depth in a planarized oxide layer, the first one or more openings being disposed over and exposing respectively associated semi-insulating or conductive regions; (b) partially filling the first one or more openings with conductive material to a level corresponding to a second predetermined depth; (c) forming second one or more openings of the second predetermined depth in the planarized oxide layer, the second one or more openings being disposed over and exposing respectively associated semi-insulating or conductive regions; and (d) filling the first and second one or more openings to substantially the same level to form respective planarized plugs in the openings.
(FR)
Procédé de remplissage des orifices pour contacts ou interconnexions d'un circuit intégré avec fiches conductrices comportant les opérations suivantes: (a) percer un ou plusieurs orifices dans une couche d'oxyde plane dans laquelle l'orifice ou les orifices expose(nt) des plages semi-isolées ou conductrices, (b) remplir l'orifice ou les orifices d'une matière conductrice pratiquement jusqu'au même niveau que les surfaces adjacentes de la couche d'oxyde pour former les fiches conductrices correspondantes affleurant la surface. L'invention consiste également en un procédé comportant les opérations suivantes: (a) percer le ou les premier(s) orifice(s) d'une profondeur déterminée à l'avance dans une couche d'oxyde plane, le ou les premier(s) orifice(s) exposant des plages semi-isolées ou conductrices en liaison les unes avec les autres; (b) remplir en partie le ou les premier(s) orifice(s) d'une matière conductrice jusqu'à un niveau correspondant à une seconde profondeur déterminée à l'avance; (c) creuser un ou des second(s) orifice(s) exposant des plages semi-isolées ou conductrices en liaison les unes avec les autres; (d) remplir le ou les premier(s) orifice(s) pratiquement jusqu'au même niveau pour former les fiches conductrices correspondantes affleurant la surface.
Également publié en tant que
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