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1. (WO1988004474) TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/1988/004474 N° de la demande internationale : PCT/JP1987/000935
Date de publication : 16.06.1988 Date de dépôt international : 02.12.1987
CIB :
H01L 29/10 (2006.01) ,H01L 29/737 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
10
avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70
Dispositifs bipolaires
72
Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
73
Transistors bipolaires à jonction
737
Transistors à hétérojonction
Déposants : MISHIMA, Tomoyoshi[JP/JP]; JP (UsOnly)
KASAI, Junichi[JP/JP]; JP (UsOnly)
MURAYAMA, Yoshimasa[JP/JP]; JP (UsOnly)
KATAYAMA, Yoshifumi[JP/JP]; JP (UsOnly)
SHIRAKI, Yasuhiro[JP/JP]; JP (UsOnly)
HITACHI, LTD.[JP/JP]; 6, Kanda Surugadai 4-chome Chiyoda-ku Tokyo 101, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : MISHIMA, Tomoyoshi; JP
KASAI, Junichi; JP
MURAYAMA, Yoshimasa; JP
KATAYAMA, Yoshifumi; JP
SHIRAKI, Yasuhiro; JP
Mandataire : OGAWA, Katuo; Patent Department, Hitachi, Ltd. 5-1, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku Tokyo 100, JP
Données relatives à la priorité :
61/28660503.12.1986JP
Titre (EN) HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION
Abrégé :
(EN) A hetero-junction bipolar transistor (HBT) in which at least one quantum well is formed in the base region, and in which the width of the well is so determined that the energy difference is smaller than kT/2 between one of the quantum levels formed in the quantum well and the barrier layer that forms the quantum well, whereby the emitter injection efficiency is improved to decrease the base running time and the base resistance, as well as to suppress the reduction in collector injection efficiency.
(FR) Transistor bipolaire à hétérojonction (HBT) dans lequel au moins un puits quantique est formé dans la région de base, et dans lequel la largeur du puits est déterminée de sorte que la différence d'énergie soit inférieure à kT/2 entre l'un des niveaux quantiques formés dans le puits quantique et la couche de barrière qui forme le puits quantique. Cet agencement améliore le rendement d'injection de l'émetteur, réduit le temps d'activité de la base et sa résistance et supprime la réduction du rendement d'injection du collecteur.
États désignés : KR, US
Office européen des brevets (OEB (DE, FR, GB)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)