WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1988004474) TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1988/004474    N° de la demande internationale :    PCT/JP1987/000935
Date de publication : 16.06.1988 Date de dépôt international : 02.12.1987
CIB :
H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/737 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6, Kanda Surugadai 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101 (JP) (Tous Sauf US).
MISHIMA, Tomoyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KASAI, Junichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MURAYAMA, Yoshimasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KATAYAMA, Yoshifumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIRAKI, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MISHIMA, Tomoyoshi; (JP).
KASAI, Junichi; (JP).
MURAYAMA, Yoshimasa; (JP).
KATAYAMA, Yoshifumi; (JP).
SHIRAKI, Yasuhiro; (JP)
Mandataire : OGAWA, Katuo; Patent Department, Hitachi, Ltd., 5-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100 (JP)
Données relatives à la priorité :
61/286605 03.12.1986 JP
Titre (EN) HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION
Abrégé : front page image
(EN)A hetero-junction bipolar transistor (HBT) in which at least one quantum well is formed in the base region, and in which the width of the well is so determined that the energy difference is smaller than kT/2 between one of the quantum levels formed in the quantum well and the barrier layer that forms the quantum well, whereby the emitter injection efficiency is improved to decrease the base running time and the base resistance, as well as to suppress the reduction in collector injection efficiency.
(FR)Transistor bipolaire à hétérojonction (HBT) dans lequel au moins un puits quantique est formé dans la région de base, et dans lequel la largeur du puits est déterminée de sorte que la différence d'énergie soit inférieure à kT/2 entre l'un des niveaux quantiques formés dans le puits quantique et la couche de barrière qui forme le puits quantique. Cet agencement améliore le rendement d'injection de l'émetteur, réduit le temps d'activité de la base et sa résistance et supprime la réduction du rendement d'injection du collecteur.
États désignés : KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)