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1. WO1988004473 - PROCEDE ISOPLANAIRE MODIFIE A DENSITE AMELIOREE

Numéro de publication WO/1988/004473
Date de publication 16.06.1988
N° de la demande internationale PCT/US1987/003276
Date du dépôt international 10.12.1987
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 25.08.1988
CIB
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/285 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
285à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
H01L 21/60 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 21/762 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76Réalisation de régions isolantes entre les composants
762Régions diélectriques
CPC
B01J 3/006
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
3Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
006Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
F04B 37/14
FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
04POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
BPOSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
37Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00
10for special use
14to obtain high vacuum
H01L 21/28525
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
285from a gas or vapour, e.g. condensation
28506of conductive layers
28512on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System
28525the conductive layers comprising semiconducting material
H01L 21/76229
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
76224using trench refilling with dielectric materials
76229Concurrent filling of a plurality of trenches having a different trench shape or dimension, e.g. rectangular and V-shaped trenches, wide and narrow trenches, shallow and deep trenches
H01L 21/76235
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
76224using trench refilling with dielectric materials
76232of trenches having a shape other than rectangular or V-shape, e.g. rounded corners, oblique or rounded trench walls
76235trench shape altered by a local oxidation of silicon process step, e.g. trench corner rounding by LOCOS
H01L 21/76897
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76897Formation of self-aligned vias or contact plugs, i.e. involving a lithographically uncritical step
Déposants
  • FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • DESBIENS, Donald, J.
  • ELDRIDGE, John, W.
  • HOWELL, Paul, J.
Mandataires
  • KANE, Daniel, H., Jr. @
Données relatives à la priorité
940,57311.12.1986US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ENHANCED DENSITY MODIFIED ISOPLANAR PROCESS
(FR) PROCEDE ISOPLANAIRE MODIFIE A DENSITE AMELIOREE
Abrégé
(EN)
An improved process for fabricating modified isoplanar integrated circuits with enhanced density incorporates a number of interactive and co-acting process steps. First, oxide isolation of epitaxial islands is effected in a two step process, forming a thin thermally grown oxide layer (32), over the surfaces of shallow trenches and then filling the shallow trenches with deposited low temperature oxide (34). Second, an enhanced single polycrystalline or polysilicon layer process uses a blanket implant, eliminates certain masking and etching steps, and defines the polycrystalline layer. Third, a new method and structure is provided for dielectrically isolating and separating contact locations on different surface levels of the integrated circuit structure adjacent to step locations between the surface levels. Finally, a new method constitutes all of the electrical contact locations for the elements of the integrated circuit structure at the same substantially isoplanar level.
(FR)
Procédé amélioré de production de circuits intégrés isoplanaires modifiés présentant une meilleure densité, incorporant un certain nombre d'étapes interactives et à action réciproque. Premièrement, une isolation d'oxyde d'îlots épitaxiaux est effectuée par un processus en deux étapes, consistant à former une mince couche d'oxyde (32), dont la croissance est stimulée par la chaleur, sur les surfaces de tranchées creuses et à remplir les tranchées creuses avec un oxyde déposé à basse température (34). Deuxièmement, un procédé amélioré à couche polycristalline ou de polysilicium simple utilise un implant à blanchet, élimine certaines étapes de masquage et de gravure et définit la couche polycristalline. Troisièmement, un nouveau procédé et une nouvelle structure permettent d'isoler et de séparer diélectriquement des emplacements de contact sur différents niveaux de surface de la structure à circuit intégré à proximité d'emplacements en gradins entre les niveaux de surface. Finalement, un nouveau procédé constitue tous les emplacements de contact électrique pour les éléments de la structure àcircuit intégré situés essentiellement sur le même niveau isoplanaire.
Également publié en tant que
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