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1. (WO1988004333) PRODUCTION DE CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1988/004333    N° de la demande internationale :    PCT/GB1987/000880
Date de publication : 16.06.1988 Date de dépôt international : 04.12.1987
CIB :
C23C 16/02 (2006.01), C23C 16/32 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01)
Déposants : THE BRITISH PETROLEUM COMPANY P.L.C. [GB/GB]; Britannic House, Moor Lane, London EC2Y 9BU (GB) (Tous Sauf US).
THWAITES, Michael, John [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : THWAITES, Michael, John; (GB)
Mandataire : RYAN, Edward, Terrence; BP International Limited, Patents & Agreements Division, Chertsey Road, Sunbury-on-Thames, Middlesex TW16 7LN (GB)
Données relatives à la priorité :
8629496 10.12.1986 GB
Titre (EN) PRODUCTION OF SILICON CARBIDE
(FR) PRODUCTION DE CARBURE DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)Crystalline beta silicon carbide is deposited on a compatible substract by subjecting a mixture of hydrocarbon vapour and a silane to a glow discharge at a partial pressure of hydrocarbon vapour and silane of not more than 1 Pa while maintaining the substrate at 600° to 1000°C.
(FR)Du carbure de silicium crystallin sous forme $g(b) est déposé sur un substrat compatible en soumettant un mélange de vapeur d'un carbure d'hydrogène et d'un silane à une décharge sous vide sous une pression partielle de vapeur de carbure d'hydrogène et de silane n'excédant pas 1 Pa, tout en maintenant le substrat à une température de 600° à 1000°C.
États désignés : JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)