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1. (WO1988003707) DISPOSITIF ET PROCEDE DE FORMATION DE LIAISONS FUSIBLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1988/003707 N° de la demande internationale : PCT/US1987/002950
Date de publication : 19.05.1988 Date de dépôt international : 12.11.1987
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 16.08.1988
CIB :
H01L 23/525 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
525
avec des interconnexions modifiables
Déposants :
IC SENSORS [US/US]; 1701 McCarthy Boulevard Milpitas, CA 95035, US
Inventeurs :
JERMAN, John, Hallock; US
DE BRUIN, Diederik, Wilhelmus; US
TERRY, Stephen, Clark; US
Mandataire :
WATT, Phillip, H. @; Fitch, Even, Tabin & Flannery Room 900 135 South LaSalle Street Chicago, IL 60603, US
Données relatives à la priorité :
930,65313.11.1986US
Titre (EN) APPARATUS AND METHOD FOR FORMING FUSIBLE LINKS
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE DE FORMATION DE LIAISONS FUSIBLES
Abrégé :
(EN) A fusible link comprises a semiconductor substrate (11), an electrically insulating layer (13) on the substrate, a pair of conductor elements on the surface of the insulating layer opposite the substrate, and a fuse conductor layer (29) on the surface of the insulating layer opposite the substrate electrically connecting the conductor elements. A cavity is formed in the insulating layer and the substrate adjacent the fuse conductor layer. The cavity has a configuration to provide a substantial reduction in the thermal conductivity cross-section between the fuse conductor layer and the substrate. Such substantial reduction is selected to enable a predetermined electrical power input to the fuse conductor layer to generate an open circuit in the layer. In a preferred form, the cavity has a configuration to form a bridge comprised of the fuse conductor layer and the portion of the insulating layer upon which the fuse conductor layer is disposed.
(FR) Une liaison fusible comprend un substrat semi-conducteur (11), une couche électriquement isolante (13) sur le substrat, une paire d'éléments conducteurs à la surface de la couche isolante opposée au substrat, et une couche conductrice fusible (29) à la surface de la couche isolante opposée au substrat reliant électriquement les éléments conducteurs. Une cavité est ménagée dans la couche isolante et dans le substrat à proximité de la couche conductrice fusible. La configuration de la cavité permet d'obtenir une réduction considérable de la section transversale de conductivité thermique entre la couche conductrice fusible et le substrat. Une telle réduction considérable est sélectionnée pour permettre qu'une puissance électrique prédéterminée appliquée à la couche conductrice fusible produise un circuit ouvert dans la couche. Dans une forme d'exécution prédéterminée, la cavité est façonnée de manière à former un pont comprenant la couche conductrice fusible et la partie de couche isolante sur laquelle la couche conductrice fusible est déposée.
États désignés : JP
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)