Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO1988003705) SYSTEME DE FIXATION DE COUSSINETS SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1988/003705 N° de la demande internationale : PCT/US1987/002715
Date de publication : 19.05.1988 Date de dépôt international : 26.10.1987
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 21.07.1988
CIB :
H01L 21/58 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 23/498 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
58
Montage des dispositifs à semi-conducteurs sur des supports
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488
formées de structures soudées
498
Connexions électriques sur des substrats isolants
Déposants :
OLIN CORPORATION [US/US]; 91 Shelton Avenue P.O. Box 30-9642 New Haven, CT 06511, US
Inventeurs :
FISTER, Julius, C.; US
CHERUKURI, Satyam, C.; US
MAHULIKAR, Deepak; US
O'DONNELLY, Brian, E.; US
Mandataire :
WEINSTEIN, Paul @; Weinstein and Rosenblatt Olin Corporation 91 Shelton Avenue New Haven, CT 06511, US
Données relatives à la priorité :
928,12107.11.1986US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DIE ATTACH SYSTEM
(FR) SYSTEME DE FIXATION DE COUSSINETS SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé :
(EN) A semiconductor die attach system (10) adapted for attaching a semiconductor die (12) to a substrate (14). A metallic buffer component (16) is disposed between the substrate and the semiconductor die to withstand stresses created from thermal cycling of the substrate and the die. The metallic buffer component is sealed to the substrate with a layer of solder (18). The layer of solder is provided to dissipate stresses created by thermal cycling of the substrate and the die. The die is sealed to the buffer with a silver-glass adhesive (19).
(FR) Un système de fixation (10) de coussinets semi-conducteurs sert à fixer un coussinet semi-conducteur (12) sur un substrat (14). Un élément tampon métallique (16) est agencé entre le substrat et le coussinet semi-conducteur afin de résister aux tensions créées par les fluctuations thermiques du substrat et du coussinet. L'élément tampon métallique est collé au substrat avec une couche de produit à souder (18). La couche de produit à souder sert à dissiper les tensions créées par les fluctuations thermiques du substrat et du coussinet. Le coussinet est collé au tampon avec un adhésif en argent-verre (19).
États désignés : AU, BB, BG, BR, DK, FI, HU, JP, KP, KR, LK, MC, MG, MW, NO, RO, SD, SU
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BJ, CF, CG, CM, GA, ML, MR, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR10199500141173AU1987082768