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1. (WO1988003703) STRUCTURE DE RESERVE MULTICOUCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1988/003703 N° de la demande internationale : PCT/US1987/002611
Date de publication : 19.05.1988 Date de dépôt international : 13.10.1987
CIB :
G03F 7/09 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/311 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
09
caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105
Post-traitement
311
Gravure des couches isolantes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
312
Couches organiques, p.ex. couche photosensible
Déposants :
HUGHES AIRCRAFT COMPANY [US/US]; 7200 Hughes Terrace Los Angeles, CA 90045-0066, US
Inventeurs :
HENDERSON, Richard, C.; US
GARVIN, Hugh, L.; US
BEAUBIEN, Randall, S.; US
RENSCH, David, B.; US
Mandataire :
DENSON-LOW, Wanda, K. @; Hughes Aircraft Company Post Office Box 45066 Bldg. C1, M.S. A126 Los Angeles, CA 90045-0066, US
Données relatives à la priorité :
929,68312.11.1986US
Titre (EN) MULTILAYER RESIST STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE RESERVE MULTICOUCHE
Abrégé :
(EN) A resist structure used in fabricating microelectronic devices on a substrate by lithography includes three layers, a thick planarizing layer (20) of a polymer material in contact with the substrate (12) and having a generally planar upper surface, a separating layer (26) overlying the planarizing layer (20), and an imaging layer (28) of a resist material overlying the separating layer (26). The separating layer (26) is a light transparent and electrically conductive material, preferably a mixture of indium oxide and tin oxide. An etched resist structure is formed on the substrate (12) by defining and developing a pattern in the imaging layer (28), transferring the pattern to the separating layer (26), and transferring the pattern to the planarizing layer (20).
(FR) Une structure de réserve utilisée dans la fabrication de dispositifs multiélectroniques sur un substrat par lithographie comprend trois couches, une couche épaisse de planarité (20) en un matériau polymère en contact avec le substrat (12) et ayant une surface supérieure généralement plane, une couche de séparation (26) recouvrant la couche de planarité (20) et une couche d'imagerie (28) en un matériau de réserve recouvrant la couche de séparation (26). La couche de séparation (26) est constituée en un matériau transparent à la lumière et électriquement conducteur, de préférence un mélange d'oxyde d'indium et d'oxyde d'étain. La structure de réserve attaquée est formée sur le substrat (12) en définissant et développant un motif dans la couche d'imagerie (28), en transférant le motif sur la couche de séparation (26) et en transférant le motif à la couche de planarité (20).
États désignés : JP, KR
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP0289595JPH01501345KR1019897000263