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1. (WO1988003319) RESISTANCE ELECTRIQUE POURVUE D'UN CONDUCTEUR A COUCHE MINCE ET D'UN DETECTEUR DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1988/003319 N° de la demande internationale : PCT/JP1987/000812
Date de publication : 05.05.1988 Date de dépôt international : 23.10.1987
CIB :
G01R 1/20 (2006.01) ,G01R 19/03 (2006.01) ,G01R 19/22 (2006.01) ,H01C 1/142 (2006.01) ,H01C 7/00 (2006.01) ,H01L 35/00 (2006.01) ,H01L 35/08 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
1
Détails ou dispositions des appareils des types couverts par les groupes G01R5/-G01R13/125
20
Modifications des éléments électriques fondamentaux en vue de leur utilisation dans des appareils de mesures électriques; Combinaisons structurelles de ces éléments avec ces appareils
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
19
Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
02
Mesure des valeurs efficaces, c. à d. des valeurs moyennes quadratiques
03
utilisant des thermoconvertisseurs
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
19
Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
22
utilisant la conversion d'un courant alternatif en courant continu
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
C
RÉSISTANCES
1
Détails
14
Bornes ou points de prise spécialement adaptés aux résistances; Dispositions de bornes ou points de prise sur les résistances
142
les bornes ou points de prise étant constitués par un revêtement appliqué sur l'élément résistif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
C
RÉSISTANCES
7
Résistances fixes constituées par une ou plusieurs couches ou revêtements; Résistances fixes constituées de matériau conducteur en poudre ou de matériau semi-conducteur en poudre avec ou sans matériau isolant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
Détails
04
Détails structurels de la jonction; Connexions des fils
08
Jonctions non amovibles, p.ex. obtenues par cémentation, frittage, soudage
Déposants :
ANRITSU CORPORATION [JP/JP]; 10-27, Minamiazabu 5-chome Minato-ku Tokyo 106, JP (AllExceptUS)
KODATO, Setsuo [JP/JP]; JP (UsOnly)
NAKAMURA, Masao [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
KODATO, Setsuo; JP
NAKAMURA, Masao; JP
Mandataire :
SUZUYE, Takehiko @; Ube Bldg. 7-2, Kasumigaseki 3-chome Chiyoda-ku Tokyo 100, JP
Données relatives à la priorité :
61/25341224.10.1986JP
61/25368627.10.1986JP
Titre (EN) ELECTRIC RESISTOR EQUIPPED WITH THIN FILM CONDUCTOR AND POWER DETECTOR
(FR) RESISTANCE ELECTRIQUE POURVUE D'UN CONDUCTEUR A COUCHE MINCE ET D'UN DETECTEUR DE PUISSANCE
Abrégé :
(EN) The electric resistor can make a resistance value ratio constant due to the change of frequency from D.C. to 32 GHz by use of a Ge-Si mixed crystal thin film equipped with an amorphous phase and a crystallite phase as an electric resistor. The power detector forms a thermocouple by connecting the mixed crystal thin film described above which has large thermoelectric power and a conductor thin film, disposes a beam lead electrode at a cold junction of this thermocouple and provides a large temperature difference between a hot junction and the cold junction in order to generate a sufficiently large thermal gradient and to improve power detection accuracy.
(FR) La résistance électrique ci-décrite peut rendre constant le rapport de valeur de résistance grâce au changement de fréquence depuis le courant continu jusqu'à 32 GHz, en utilisant une couche mince de cristaux mélangés de Ge-Si présentant une phase amorphe et une phase cristalline en tant que résistance électrique. Le détecteur de puissance ci-décrit forme un thermocouple en reliant la couche mince de cristaux mélangés de grande puisance thermoélectrique susmentionné et une couche mince conductrice, dispose une electrode ''beam lead'' dans une jonction froide dudit thermocouple et assure une grande différence de température entre une jonction chaude et la jonction froide afin de produire un gradient thermique suffisamment important et d'améliorer la précision de détection de puissance.
États désignés : JP, US
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB, IT)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
EP0289618