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1. (WO1988003181) PROCEDE DE PRODUCTION SYSTEMATIQUE D'UN DEPOT EN CUIVRE ESSENTIELLEMENT DEPOURVU DE FISSURES SUR UN SUBSTRAT PAR DEPOSITION NON-ELECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1988/003181 N° de la demande internationale : PCT/US1987/002856
Date de publication : 05.05.1988 Date de dépôt international : 30.10.1987
CIB :
C23C 18/16 (2006.01) ,C23C 18/40 (2006.01) ,H05K 3/18 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
18
Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement; Dépôt par contact
16
par réduction ou par substitution, p.ex. dépôt sans courant électrique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
18
Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement; Dépôt par contact
16
par réduction ou par substitution, p.ex. dépôt sans courant électrique
31
Revêtement avec des métaux
38
Revêtement avec du cuivre
40
en utilisant des agents réducteurs
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
3
Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
10
dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché
18
utilisant la technique de la précipitation pour appliquer le matériau conducteur
Déposants :
KOLLMORGEN TECHNOLOGIES CORPORATION [US/US]; 717 North Harwood Street Suite 1000 Lock Box 67 Dallas, TX 75201, US
Inventeurs :
HUGHES, Rowan; US
CEBLISKY, Rudolph, J.; US
PAUNOVIC, Milan; US
Mandataire :
BLUM, Israel; Morgan & Finnegan 345 Park Avenue New York, NY 10154, US
Données relatives à la priorité :
926,36331.10.1986US
Titre (EN) METHOD OF CONSISTENTLY PRODUCING COPPER DEPOSIT ON A SUBSTRATE BY ELECTROLESS DEPOSITION WHICH DEPOSIT IS ESSENTIALLY FREE OF FISSURES
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION SYSTEMATIQUE D'UN DEPOT EN CUIVRE ESSENTIELLEMENT DEPOURVU DE FISSURES SUR UN SUBSTRAT PAR DEPOSITION NON-ELECTRIQUE
Abrégé :
(EN) Electroless metal plating solutions are formulated and controlled to provide high quality metal deposits by establishing the intrinsic cathodic reaction rate of the solution less than 110 % of the intrinsic anodic reaction rate. Methods are provided to formulate electroless copper plating solutions which can deposit copper on printed wiring boards of quality sufficient to pass a thermal stress of 10 seconds contact with molten solder at 288°C without cracking the copper deposits on the surface of the printed wiring boards or in the holes. The ratio of the anodic reaction rate to the cathodic reaction rate can be determined by electrochemical measurements, or it can be estimated by varying the concentration of the reactants and measuring the plating rates.
(FR) On a formulé et testé des solutions de placage métallique non-électrique utiles pour produire des dépôts métalliques de haute qualité en établissant le taux intrinséque de réaction cathodique à moins de 110 % du taux intrinséque de réaction anodique. Des procédés permettent de formuler des solutions de placage non-électrique avec du cuivre capables de déposer du cuivre sur des plaquettes de circuits imprimés de qualité suffisante pour résister à des tensions thermiques de contact pendant 10 secondes avec de la soudure fondue à 288°C sans craquer les dépôts de cuivre à la surface des plaquettes de circuits imprimés ou dans leurs orifices. On peut déterminer la rapport entre le taux de réaction anodique et le taux de réaction cathodique par des mesures électrochimiques, ou on peut estimer ce rapport en variant la concentration des réactifs et en mesurant la vitesse de placage.
États désignés : AU, BR, JP, KR
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
BRPI8707516KR1019880701791AU1987083220