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1. (WO1987007979) PROCEDE PLAN POUR FORMER DES INTERCONNEXIONS ENTRE COUCHES DANS DES TRANCHES DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1987/007979    N° de la demande internationale :    PCT/US1987/001404
Date de publication : 30.12.1987 Date de dépôt international : 11.06.1987
CIB :
H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : LSI LOGIC CORPORATION [US/US]; 3105 Alfred Street, Santa Clara, CA 95051 (US).
PASCH, Nicholas, F. [US/US]; (US)
Inventeurs : PASCH, Nicholas, F.; (US)
Mandataire : KALLMAN, Nathan, N.; 3600 Pruneridge Avenue, Suite 100, Santa Clara, CA 95051 (US)
Données relatives à la priorité :
876,019 19.06.1986 US
Titre (EN) PLANARIZED PROCESS FOR FORMING VIAS IN SILICON WAFERS
(FR) PROCEDE PLAN POUR FORMER DES INTERCONNEXIONS ENTRE COUCHES DANS DES TRANCHES DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)A process for forming vias in semiconductor structures includes the step of forming a pillar (32) on an underlying dielectric layer (26) prior to deposition of the metallization layer (M1). The pillar (32) is located above the diffusion region (18) preferably and serves to provide substantially equal distances or heights (d1, d2) for etching vias from the top planarized surface (34) to the metallization layer (M1) deposited over the field oxide region (16) and over the diffusion region (18).
(FR)Un procédé pour former des interconnexions entre couches dans des structures à semi-conducteurs consiste à former un support (32) sur une couche diélectrique sous-jacente (26) avant de déposer la couche de métallisation (M1). Le support (32) est situé de préférence au-dessus de la région de diffusion (18) et permet d'assurer des distances ou des hauteurs (d1, d2) sensiblement égales pour graver des interconnexions entre couches depuis la surface supérieure (34) rendue plane jusqu'à la couche de métallisation (M1) déposée sur la région d'oxyde de champ (16) et sur la région de diffusion (18).
États désignés : AU, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)