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1. (WO1987007765) PROCEDE DE FABRICATION D'UN MESFET AUTO-ALIGNE A L'AIDE D'UNE PORTE DE SUBSTITUTION A PAROIS LATERALES ET SYSTEME D'ENLEVEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1987/007765    N° de la demande internationale :    PCT/US1987/001354
Date de publication : 17.12.1987 Date de dépôt international : 10.06.1987
CIB :
H01L 21/338 (2006.01)
Déposants : FORD MICROELECTRONICS, INC. [US/US]; 10340 State Highway 83 North, Colorado Springs, CO 80908-3698 (US)
Inventeurs : KWOK, Siang, Ping; (US)
Mandataire : CARGILL, Lynn, E.; Brooks & Kushman, 2000 Town Center, Suite 2000, Southfield, MI 48075 (US)
Données relatives à la priorité :
873,515 12.06.1986 US
Titre (EN) METHOD OF MAKING A SELF-ALIGNED MESFET USING A SUBSTITUTIONAL GATE WITH SIDEWALLS AND LIFT-OFF
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN MESFET AUTO-ALIGNE A L'AIDE D'UNE PORTE DE SUBSTITUTION A PAROIS LATERALES ET SYSTEME D'ENLEVEMENT
Abrégé : front page image
(EN)A process for producing a semiconductor device (10) includes depositing a layer of insulator material onto a supporting substrate (12) of the type having a surface which includes a channel region below the surface thereof containing a carrier concentration of a desired conductivity type, removing selected portions of the insulator material to form a substitutional gate on the substrate surface, forming side walls bounding the substitutional gate to define an effective masking area in cooperation with the substitutional gate, ion implanting a dopant into the unmasked region of the substrate, removing the side walls, annealing the resultant device, removing the substitutional gate, depositing gate metal (22) and first and second ohmic contacts (24, 26) in correct positional relation to one another on the substrate, and depositing metallic interconnects (28) in electrical communication with the ohmic contacts to produce a semiconductor device. This technique is especially useful in the production of Group III-V compound semiconductors, particularly gallium arsenide semiconductors.
(FR)Un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteurs (10) consiste à déposer une couche de matériau isolant sur un substrat (12) de support du type ayant une surface comportant en dessous une région de canal contenant une concentration de porteurs du type de conductivité désirée, à enlever des parties choisies du matériau isolant afin de former une porte de substitution sur la surface du substrat, à former des parois latérales délimitant la porte de substitution afin de définir une région effective de masquage en coopération avec la porte de substitution, à effectuer une implantation ionique d'un dopant dans la région non masquée du substrat, à enlever les parois latérales, à soumettre à un recuit le dispositif résultant, à enlever la porte de substitution, à déposer un métal de porte (22) et des premier et second contactes ohmiques (24, 26) en position correcte l'un par rapport à l'autre sur le substrat, et à déposer des interconnexions métalliques (28) en communication électrique avec les contactes ohmiques afin de produire un dispositif à semi-conducteurs. Cette technique est particulièrement utile dans la production de semi-conducteurs à jonction du groupe III-V, notamment des semi-conducteurs à l'arséniure de gallium.
États désignés : DE, GB, JP.
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)