WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1987007764) OXYDATION ACTIVEE PAR SAMARIUM DE SURFACES D'ARSENIURE DE GALLIUM ET DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1987/007764    N° de la demande internationale :    PCT/US1987/001231
Date de publication : 17.12.1987 Date de dépôt international : 27.05.1987
CIB :
H01L 21/316 (2006.01)
Déposants : REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MINNESOTA [US/US]; Morrill Hall, 100 Church Street S.E., Minneapolis, MN 55455 (US)
Inventeurs : FRANCIOSI, Alfonso; (US)
Mandataire : WOESSNER, Warren, D.; Merchant, Gould, Smith, Edell, Welter & Schmidt, 1600 Midwest Plaza Building, Minneapolis, MN 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
872,889 11.06.1986 US
Titre (EN) SAMARIUM-PROMOTED OXIDATION OF SILICON AND GALLIUM ARSENIDE SURFACES
(FR) OXYDATION ACTIVEE PAR SAMARIUM DE SURFACES D'ARSENIURE DE GALLIUM ET DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)A method for the oxidation of a silicon or gallium arsenide surface by depositing thereon a samarium overlayer comprising trivalent samarium prior to exposure of the surface to an oxidizing atmosphere.
(FR)Procédé d'oxydation d'une surface d'arséniure de gallium ou de silicium consistant à y déposer une couche superficielle de samarium constituée de samarium trivalent, avant exposition de ladite surface à une atmosphère oxydante.
États désignés : DK, FI, JP, KR, NO.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)